GB/T 44797-2025 微波混合集成电路 合成频率源 ,该文件为pdf格式 ,请用户放心下载!
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CCS L57
中华人民共和国国家标准
GB/T44797—2025
微波混合集成电路 合成频率源
Microwavehybridintegratedcircuits—Synthesizedfrequencysources
2025-01-24发布2025-01-24实施
国家市场监督管理总局
国家标准化管理委员会发布
前 言
本文件按照GB/T1.1—2020《标准化工作导则 第1部分:标准化文件的结构和起草规则》的规定
起草。
请 注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别专利的责任。
本文件由中华人民共和国工业和信息化部提出。
本文件由全国集成电路标准化技术委员会(SAC/TC599)归口。
本文件起草单位:中国电子科技集团公司第十三研究所、中国电子技术标准化研究院、合肥宝发动
力技术有限公司、安徽松菱电器有限公司、深圳市锦弘兴科技有限公司、山东省中智科标准化研究院有
限公司、安徽大衍半导体科技有限公司。
本文件主要起草人:朱大成、郭文胜、蒋旭东、张加程、王琪、陈玲玲、崔从俊、吴贤斌。
1 范围
本文件规定了合成频率源的定义、技术要求和检验规则、标志,描述了测试方法。
本文件适用于采用微波混合集成电路工艺设计、制造的合成频率源。
2 规范性引用文件
下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款。其中,注日期的引用文
件,仅该日期对应的版本适用于本文件;不注日期的引用文件,其最新版本(包括所有的修改单)适用于
本文件。
GB/T2423.1—2008 电工电子产品环境试验 第2部分:试验方法 试验A:低温
GB/T2423.2—2008 电工电子产品环境试验 第2部分:试验方法 试验B:高温
GB/T4937.3—2012 半导体器件 机械和气候试验方法 第3部分:外部目检
GB/T4937.21—2018 半导体器件 机械和气候试验方法 第21部分:可焊性
GB/T8976—1996 膜集成电路和混合膜集成电路总规范
GB/T9178—1988 集成电路术语
GB/T11498—2018 半导体器件 集成电路 第21部分:膜集成电路和混合膜集成电路分规范
(采用鉴定批准程序)
GB/T13062—2018 半导体器件 集成电路 第21-1部分:膜集成电路和混合膜集成电路空白
详细规范(采用鉴定批准程序)
GB/T35002—2018 微波电路 频率源测试方法
3 术语和定义
GB/T9178—1988界定的以及下列术语和定义适用于本文件。
3.1
合成频率源 synthesizedfrequencysources
采用频率合成技术产生的频率源,即通过对参考基准频率进行某种数学运算来获取大量与参考基
准频率相同精确度的信号,然后再根据实际需要来选择所需的频率。
注:合成频率源根据合成原理的不同主要分为三种:直接合成频率源、锁相式合成频率源、直接数字合成频率源。
4 参数分类和特性要求
4.1 静态参数
合成频率源的静态参数应包含电源电流。
4.2 动态参数
合成频率源的动态参数指标如下:
1
GB/T44797—2025
a) 输出频率(f0);
b) 输出功率(PO);
c) 谐波抑制度(Rfn);
d) 杂波抑制度(Rfs);
e) 单边带相位噪声(L(f));
f) 功率平坦度(ΔPO)(规定时);
g) 功率温度稳定度(ΔPT)(规定时);
h) 频率步进(fstep)(规定时);
i) 频率时间稳定度(St)(规定时);
j) 频率温度稳定度(ST)(规定时);
k) 频率准确度(A)(规定时);
l) 跳频时间(tp)(规定时);
m) 隔离度(Is)(规定时);
n) 建立时间(Tset)(规定时)。
4.3 降额
应符合GB/T11498—2018中2.2的规定。
4.4 封装特性
为方便使用,应按GB/T11498—2018中2.3.1的规定。应有电路外形图,以便容易识别,并同其他
电路比较。通常,应给出壳体的长、宽和高,以及引出端间距的数值,对于圆柱形应给出壳体的直径、长
度和引出端的直径。
4.5 安装
安装要求应符合GB/T11498—2018中2.3.2的规定。
4.6 其他特性指标
为方便使用,应规定以下适用的特性:
a) 工作温度范围(TA):除另有规定外,一般为0 ℃~70 ℃、-40 ℃~85 ℃、-55 ℃~85 ℃、
-55℃~125℃,或按GB/T8976—1996中2.5的相关规定;
b) 贮存温度范围(Tstg):除另有规定外,一般为-65℃~150℃;
c) 静电敏感度等级(ESDS);
d) 电路工艺、类型或功能的简要说明;
e) 典型或特殊结构说明(适用时);
f) 质量评定水平,如果电路采用了未经鉴定的外加元器件,应按GB/T13062—2018的有关规
定,评定水平应加后缀“N”。
5 电特性测试方法
5.1 一般环境条件
除另有规定外,测试的标准大气条件应符合GB/T8976—1996的中4.2.1相关规定。
5.2 静态参数
电源电流按照GB/T35002—2018中5.13的规定。
2
GB/T44797—2025
5.3 动态参数
5.3.1 输出频率
按照GB/T35002—2018中5.1的规定。
5.3.2 输出功率
按照GB/T35002—2018中5.6的规定。
5.3.3 谐波抑制度
按照GB/T35002—2018中5.9的规定。
5.3.4 杂波抑制度
按照GB/T35002—2018中5.10的规定。
5.3.5 单边带相位噪声
按照GB/T35002—2018中5.11的规定。
5.3.6 功率平坦度(规定时)
按照GB/T35002—2018中5.7的规定。
5.3.7 功率温度稳定度(规定时)
按照GB/T35002—2018中5.8的规定。
5.3.8 频率步进(规定时)
按照GB/T35002—2018中5.2的规定。
5.3.9 频率时间稳定度(规定时)
按照GB/T35002—2018中5.3的规定。
5.3.10 频率温度稳定度(规定时)
按照GB/T35002—2018中5.4的规定。
5.3.11 频率准确度(规定时)
按照GB/T35002—2018中5.5的规定。
5.3.12 跳频时间(规定时)
按照GB/T35002—2018中5.12的规定。
5.3.13 隔离度(规定时)
使用频谱分析仪测试两路频率源输出之间的功率差既为隔离度。
5.3.14 建立时间(规定时)
测试从电源电压上电稳定后到输出频率稳定后之间的时间。
3
GB/T44797—2025
6 检验规则
6.1 通则
产品应经检验合格方能出厂,并附有证明产品质量合格的文件或标记。
与GB/T11498—2018、GB/T8976—1996的要求不一致时,以本文件为准。
6.2 检验要求
鉴定批准程序应符合GB/T11498—2018和6.4的规定。
检查水平(IL)、接收质量限(AQL)、批允许不合格品率(LTPD)、固定样本大小和试验周期,应按
GB/T11498—2018中表7的规定,并纳入到产品详细规范中。表1~表6中“×”为要求项目,“—”为
非要求项目,其中相关字母含义如下:
———p:周期(以月为单位);
———n:样本大小;
———c:合格判定数(允许不合格品数);
———D:破坏性的;
———ND:非破坏性的。
6.3 筛选
在提交鉴定检验和质量一致性检验前,产品应按表1的规定进行筛选检验。
表1 筛选
步骤检查或试验
对应GB/T8976—1996
章条号
详细要求和条件
顺序
A组B组C组D组E组
1a 封盖前目检4.3.1 × — — — —
2 高温贮存4.5.1 最高贮存温度下24h × × × — ×
3 温度快速变化4.5.8 10次循环
最低贮存温度/最高贮存温度× × × — ×
4a 恒定加速度4.5.7 在最严格的方向上,加速度值按详
细规范规定× × × — —
5a 密封4.5.9 × × ×
6 电测试(老炼前)
选择电特性参数见5.2 和5.3 的
要求。
剔除不合格品
×b × — × —
7 老炼按详细规范规定×
168h
×
72h — ×
48h —
8 电测试(老炼后) 按本表第6 项规定剔除不合格
品,如不合格数超过10%,则批拒收× × × × ×
注1:筛选在A组、B组和C组检验前进行。
注2:按具体型号产品详细规范的规定可要求追加筛选后试验。
a 除产品详细规范中另有规定外,一般不适用于非空封器件。
b 除产品详细规范中另有规定外,应记录测量结果。
4
GB/T44797—2025
6.4 鉴定批准
鉴定批准试验和程序见GB/T8976—1996的3.5。
基于固定样本大小为基础的鉴定批准程序见GB/T11498—2018中3.2的相关规定,并满足本文
件表2的规定。
以逐批和周期试验为基础的质量一致性检验程序见GB/T11498—2018中表6和表7的相关
规定。
鉴 定批准程序表(固定样本大小程序)和质量一致性检验程序表(逐批和周期检验)共同规定了成品
电路的最少试验程序,详细见GB/T11498—2018中表6和表7的相关规定。
制造厂可按GB/T11498—2018中3.2的规定自行选择采用评定水平K、L或M。
为了特定的应用所需要的附加试验,应在产品详细规范中规定。并应在详细规范中规定环境试验
后需测试的电特性极限值。
鉴定批准试验程序详见表2。
鉴定批准的样本大小及合格判定数应按GB/T11498—2018中3.2.1和表6的规定。当检验表中
追加分组时,“0”组要求的电路数也应增加,增加的数量等于追加组所要求的数量。
表2 鉴定批准试验程序
试验D/ND 试验条件性能要求
0组
01a分组
外部目检和标志检查
01b分组
尺寸
ND GB/T4937.3—2012,
第1章~第3章
满足GB/T4937.3—2012
第4章的规定
03分组
25℃下静态特性ND 5.2 满足4.1的要求
04a分组
最高工作温度下静态特性
同03分组
ND GB/T2423.2—2008,
试验方法为Bb 满足4.1的要求
04b分组
最低工作温度下静态特性
同03分组
ND GB/T2423.1—2008,
试验方法为Ab 满足4.1的要求
05分组
除另有规定外,25℃下动态特性ND 5.3 满足4.2的要求
1组
1.1分组
引出端强度
D 按相应封装规定,如拉力
或转矩
不应有外观损伤,按产品的
详细规范要求进行测量
1.2分组
可焊性D GB/T4937.21—2018 满足GB/T4937.21—2018
中4.3.3.6的规定
1.3分组
耐焊接热D GB/T4937.21—2018 终点测试
(同03分组)
5
GB/T44797—2025
表2 鉴定批准试验程序(续)
试验D/ND 试验条件性能要求
2组
2.1分组
快速温度变化
交变湿热(适用于非空封器件)
密封(适用于空封器件)
终点测试(同03分组)
D
快速温度变化适用于非空封
电路:
———评定水平K:200次循环;
———评定水平L和M:100次
循环
与产品的详细规范一致
2.2分组
冲击或振动
恒定加速度(适用于空封器件)
D 按产品的详细规范规定终点测试(同03分组)
3分组
3.1分组
电耐久性
D
按产品的详细规范规定:
评定水平K:3000h
评定水平L:2000h
评定水平M:1000h
终点测试(同03分组)
3.2分组
高温贮存D 除另有规定外,最高贮存温
度,最少1000h 终点测试(同03分组)
3.3分组
稳态湿热D
适用于非空封电路评定水平:
评定水平K:2000h
评定水平L:1000h
评定水平M:500h
终点测试(同03分组)
3.4分组
标志耐溶剂性D 适用时,按产品的详细规范
规定
适用时,按产品的详细规范规定
3.5分组
易燃性(仅作为信息) D 适用时,按产品的详细规范
规定
适用时,按产品的详细规范规定
6.5 质量一致性检验
质量一致性检验应符合GB/T11498—2018中3.2.2的规定,包括抽样、周期、条件和要求,分为逐
批和周期检验。
有要求时,应对拟交付的全部电路进行筛选,筛选试验见表1。
质量一致性检验见表3、表4、表5、表6。
检验批应从一周之内生产的产品中抽取,或者从制造厂申报的其他时期制造的产品抽取,但周期最
长不超过一个月。
表3 A 组检验(逐批)
试验和试验顺序D/ND 试验条件IL AQL LTPD 性能要求
A1分组
外部目检和标志检查ND — — — —
A2分组
25℃下动态电特性(除非另有规定) ND 参见5.3 — — —
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GB/T44797—2025
表3 A 组检验(逐批)(续)
试验和试验顺序D/ND 试验条件IL AQL LTPD 性能要求
A2a分组
(不适用于M 级产品)
在最高和最低工作温度下动态电特性
ND 参见5.3 — — —
A3分组
25℃下静态电特性ND 参见5.2 — — —
A3a分组
在最高和最低工作温度下的静态电特性ND 参见5.2 — — —
表4 B组检验(逐批)
试验和试验顺序D/ND 试验条件p n c 性能要求
B1分组
尺寸ND — — — —
B2c分组
电参数额定值检验ND — — — —
B4分组
可焊性D — — — —
B8分组
电耐久性ND 168h(除另有规定外) — — — 从A2和A3
分组中选取
表5 C组检验(周期)
试验和试验顺序D/ND 试验条件p n c 性能要求
C1分组
尺寸ND — — — —
C2a分组
25℃下电特性ND 见具体型号产品详细
规范— — —
C2b分组
最高和最低工作温度下电特性ND 见具体型号产品详细
规范— — —
C2c分组
电参数额定值检验:瞬间能量额定值ND — — — —
C3分组
引出端强度D 按相应封装规定,如拉
力或转矩— — —
C4分组
耐焊接热D — — — — 同A2、A3
分组
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GB/T44797—2025
表5 C组检验(周期)(续)
试验和试验顺序D/ND 试验条件p n c 性能要求
C5分组
温度快速变化
a) 空封器件
快速温度变化
电测试
密封,细检漏
密封,粗检漏
b) 非空封器件
温度快速变化
外部目检
稳态湿热
电测试
D 温度:Tstgmin和Tstgmax。
按规定温度进行— — — 同A2、A3
分组
C6分组
恒定加速度(适用于空封器件) D — — — — 同A2、A3
分组
C7分组
稳态湿热
a) 对于空封器件
b) 对于非空封器件
电测试
D
质量评定水平:
K:2000h
L:1000h
M:500h
适用于非空封器件
— — — 同A2、A3
分组
C8分组
电耐久性D 最少1000h — — — 同A2、A3
分组
C9分组
高温贮存D 温度:Tstgmax(除另有规定)
持续时间:最少1000h — — — 同A2、A3
分组
C11分组
标志耐久性D — — — —
表6 D 组检验(周期)
试验和试验顺序D/ND 试验条件p n c 性能要求
D8分组
电耐久性D
质量评定水平:
K:3000h
L:2000h
不适用于M 级产品
— — — 同A2、A3
分组
7 标志
电路和原始包装的标志应符合GB/T8976—1996中2.6的规定。
电路和原始包装上的标志内容应在产品的详细规范中全部给出。
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GB/T44797—2025
8 订货信息
按本文件订购的电路,包括但不限于下列信息:
a) 包含产品型号及评定水平的详细规范的编号及版本号(适用时);
b) 电路功能(适用时);
c) 基本功能特性及其公差(适用时)。
9 交货准备
9.1 包装要求
包装应清洁、干燥,对电路具有良好的防护作用,保证在运输和操作过程中保护电路免受机械损
伤,而且包装材料和结构不能对电路有害。适用时,还应具有静电防护作用。
9.2 运输、装卸和储存
在运输、装卸期间,应防止电路受到机械损伤。电路应储存在清洁、干燥、无污染的良好环境中。适
用时,还应采取静电防护措施。
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