GB/T 48208-2026 刚性有机封装基板规范

前言

本文件按照 GB/T 1.1—2020《标准化工作导则 第1部分:标准化文件的结构和起草规则》的规定起草。

请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别专利的责任。

本文件由中华人民共和国工业和信息化部提出。

本文件由全国印制电路标准化技术委员会(SAC/TC 47)和全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)共同归口。

本文件起草单位:广州兴森快捷电路科技有限公司、深圳市兴森快捷电路科技股份有限公司、华为技术有限公司、通富微电子股份有限公司、天水华天科技股份有限公司、江苏长电科技股份有限公司、中国电子技术标准化研究院、广东生益科技股份有限公司、珠海方正科技高密电子有限公司、广东伊帕思新材料科技有限公司、无锡中微亿芯有限公司、深圳市柳鑫实业股份有限公司、苏州生益科技有限公司、工业和信息化部电子第五研究所、北京兴斐电子有限公司、苏州锐杰微科技集团有限公司、深圳市电巢科技有限公司。

本文件主要起草人:乔书晓、胡勇勤、崔永涛、陈磊、李勇、马晓建、邹茂前、薛超、刘申兴、苏新虹谢添华、贺育方、鲍漫、张兵、张红兵、周晨、徐小明、杨柳、张伦强、何骁、刘国栋、张源、袁告、张龙、高亚丽。

1 范围

本文件规定了刚性有机封装基板的要求、质量保证规定、标识、包装、运输、贮存和说明事项,描述了相应的检验方法。

本文件适用于金属丝键合封装和倒装芯片封装用刚性有机封装基板(以下简称封装基板)

本文件不适用于陶瓷封装基板和挠性封装基板。

2 规范性引用文件

下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款。其中,注日期的引用文件,仅该日期对应的版本适用于本文件;不注日期的引用文件,其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。

GB/T 2036 印制电路术语

GB/T 2423.17 环境试验 第2部分:试验方法 试验 Ka:盐雾

GB/T 2423.22—2012 环境试验 第2部分:试验方法 试验 N:温度变化

GB/T 4588.3 印制板的设计和使用

GB/T 4677—2002 印制板测试方法

GB/T 4721—2021 印制电路用刚性覆铜箔层压板通用规则

GB/T 4937.4—2012 半导体器件 机械和气候试验方法 第4部分:强加速稳态湿热试验(HAST)

GB/T 4937.22—2018 半导体器件 机械和气候试验方法 第22部分:键合强度

GB/T 4937.30—2018 半导体器件 机械和气候试验方法 第30部分:非密封表面安装器件在可靠性试验前的预处理

GB/T 5230 印制板用电解铜箔

GB/T 6040—2019 红外光谱分析方法通则

GB/T 6461—2002 金属基体上金属和其他无机覆盖层 经腐蚀试验后的试样和试件的评级

GB/T 6739—2022 色漆和清漆 铅笔法测定漆膜硬度

GB/T 16261 印制板总规范

GB/T 16921—2005 金属覆盖层 覆盖层厚度测量 X射线光谱法

GB/T 17359—2023 微束分析 原子序数不小于11的元素能谱法定量分析

GB/T 19247.6—2024 印制板组装 第6部分:球栅阵列(BGA)和盘栅阵列(LGA)焊点空洞的评估要求及测试方法

GB 26572 电器电子产品有害物质限制使用要求

GB/T 29505—2013 硅片平坦表面的表面粗糙度测量方法

GB/T 29847—2025 印制板用铜箔测试方法

GB/T 30693—2014 塑料薄膜与水接触角的测量

GB/T 31471 印制电路用金属箔通用规范

GB/T 33015 多层印制板用粘结片通用规则

GB/T 34018—2017 无损检测 超声显微检测方法

GB/T 35005—2018 集成电路倒装焊试验方法

GB/T 39241—2020 无损检测 超声检测 穿透技术

SJ/T 10309—2016 印制板用阻焊剂

SJ/T 10668 电子组装技术术语

SJ/T 11551 高密度互连印制电路用涂树脂铜箔

SJ/T 11584 锡球规范

SJ 21091—2016 印制板外观和尺寸检验方法

SJ 21092—2016 印制板电气性能测试方法

SJ 21093—2016 印制板物理性能测试方法

SJ 21193 印制板离子迁移测试方法及要求

SJ/Z 21284 印制板导通孔保护设计指南

SJ 21555—2020 印制板高速电路信号传输损耗测试方法

3 术语和定义

GB/T 2036和SJ/T 10668界定的以及下列术语和定义适用于本文件。

3.1

封装基板 package substrate

能为裸芯片、无源元件等元器件提供电气连接、保护、支撑、散热等功能的电路板

3.2

单体 unit

最基本的单颗封装基板产品。

3.3

条 strip

由单体按照一定规律重复排布形成的组合体。

3.4

键合区 wire bonding area

封装基板上用于金属线键合的区域。

3.5

预置焊球 pre-solder ball

通过印刷焊膏或植球的方式在封装基板贴晶片区域焊盘上制作的焊球

3.6

积层胶膜 build-up film

由改性环氧树脂及填料等混合制成的半固化膜层

注:积层胶膜用于积层板层间绝缘隔离和粘结,在其上通过化学或物理方法沉积制作精细导线的金属层。

3.7

布设总图 master drawing

用以描述待制产品的部分或全部的尺寸限制或网格位置的工作文件,包括导电和非导电图形或组件的布局。

[来源:SJ/T 10668—2023,26.0744]

3.8 X型孔 X-type hole

通过激光对覆铜箔层压板或介质层进行双面对钻加工,形成的形状像“X”的孔

注:在覆铜箔层压板上加工的 X型孔如图1所示。

标引序号说明:

1———介质层;

2———导体铜层。

图 1 覆铜箔层压板 X型孔示意图

3.9 镀覆孔 plated through hole

在印制板的内层间,外层间或内外层间的导电图形之间起电气连接作用且其孔壁镀覆有金属的孔。

[来源:SJ/T 10668—2023,22.1475]

3.10 导通孔 via

一种用于内层连接的金属化镀覆孔,但并不用来插入元件引线或其他增强材料。

[来源:SJ/T 10668—2023,22.1562]

3.11 微导通孔 microvia

积层导通孔 build-up via

孔深度(x)与孔径(y)比不大于1,且捕获连接盘到目标连接盘距离(同孔深度)不超过0.25 mm 的盲孔(如图2所示)。

标引序号说明:

1———捕获连接盘;

2———目标连接盘。

图 2 微导通孔示意图

[来源:GB/T 43799—2024,3.2]

3.12

非支撑孔 unsupported hole

印制板上无镀层或无其他类型导电增强材料的孔

[来源:SJ/T 10668—2023,22.1129]

3.13

非支撑槽 unsupport slot

印制板上无镀层或无其他类型导电增强材料的槽。

3.14

夹杂物 inclusions

夹裹在绝缘材料、导体层 、镀层、基材或焊接点中的金属或非金属等外来颗粒。

[来源:SJ/T 10668—2023,90.0637]

3.15

起泡 blister

层压板基材的任意层之间或基材与导电箔或保护涂层之间的局部膨胀和分离形式的分层

[来源:SJ/T 10668—2023,96.1340]

3.16

分层 delamination

印制板内基材层间、基材与导电箔之间、敷形涂层与表面之间或者内部其他任何平面间的分离。

3.17

毛刺 burr

由诸如钻孔或切削等机械加工而导致的凸于表面的不规则形状的突起或小块。

[来源:SJ/T 10668—2023,92.1603]

3.18

晕圈 haloing

由于机械加工产生的基材表面上或表面下的破裂或分层,通常表现为孔或其他机械加工部位的周围呈现泛白区域。

[来源:SJ/T 10668—2023,51.1415]

3.19 金属丝键合封装 wire bonding package

通过金、铜、铝等金属或合金丝,使晶片与封装基板对应焊盘实现互连的封装方式

3.20 倒装芯片封装 flip chip package

通过晶片下方凸点与封装基板对应焊盘实现互连的封装方式。

3.21 焊盘完好区 pristine area of pad

矩形焊盘中央宽度的80%乘以长度的80%的范围,或圆形焊盘以焊盘直径的中点为中心,焊盘直径80%以内的范围。

3.22 共面性 deviation from coplanarity

封装基板预置焊球后,各焊球和所建立的基准平面之间的距离

3.23 异物 foreign material

能从封装基板外部观察到的布设总图之外的三维金属或非金属材料。

注:异物不可移动,位于封装基板阻焊、导体、基材表面上或孔内,或从这些表面延伸到内部。

3.24 阻焊膜侧蚀 solder mask undercut

从阻焊膜一侧的外缘到同侧阻焊膜最深凹入点间平行于封装基板板面的距离。

4 应用等级

根据客户和/或最终用途的要求,符合本文件的产品分为1级、2级和3级3个应用等级。采购方有责任在其合同或采购文件中规定每种产品的应用等级要求,并且当需要时应指出特定参数的例外要求。具体等级如下。

a) 1级对应于通用电子产品,包括消费产品,某些计算机和计算机外围设备以及适用于主要要求是完整组件功能的应用的硬件。
b) 2级对应于专用服务电子产品,包括需要高性能和长寿命且需要不间断服务但非强制性的通信设备,复杂的商用机器和仪器。
c) 3级对应于高性能电子产品,包括具有持续性能或按需性能的设备;设备的停机时间不能容忍,最终使用环境可能会非常恶劣,并且设备应在需要时运行,如生命支持系统和其他关键系统。

5 要求

5.1 一般要求

封装基板的一般要求如下:

a) 封装基板承制方应使用能生产符合本文件要求产品的生产设备、检验设备和检验程序;
b) 封装基板应符合本文件的规定,并与相关布设总图的设计、结构的要求以及材料的特性相

一致;

c) 封装基板产品的性能可通过检验成品封装基板、附连测试板或质量一致性测试图形来验证。

5.2 设计

封装基板的设计应符合布设总图的规定,没有明确要求时,应符合 GB/T 4588.3的规定,超出该文件要求的部分应由采购方确定。

封装基板附连测试板图形的设计、数量、位置和用途应符合合格鉴定用测试图形和布设总图的相关规定,并能反映封装基板中最复杂生产工艺的情况,如微导通孔堆叠结构、最小镀覆孔、最小导体宽度和间距等;有插损要求的,应增加插损测试模块;对金属丝键合封装用封装基板应包括用于键合强度测试的模块(或使用成品封装基板);对倒装芯片封装用封装基板应包括用于焊球结合强度测试的模块(或使用成品封装基板);应符合采购文件的规定或供需双方的商定。

5.3 材料

除另有规定外,应使用能生产出符合本文件要求的成品封装基板的材料。任何材料的验收和认证,不应视为替代成品封装基板的验收依据。

除另有规定外,封装基板用材料的限用物质含量应满足 GB 26572的要求。

在满足封装基板要求的条件下,应最大程度地采用可重复利用、可回收或环保型树脂材料,以有助于清洁生产和降低整个产品生命周期的碳足迹。

除另有规定外,封装基板用刚性覆铜箔和未覆铜箔层压板应符合 GB/T 4721—2021 的相关规定,应满足封装基板平面方向的热膨胀系数要求及对层压板的外观要求等,并应符合采购文件的规定或供需双方的商定。

除另有规定外,封装基板用粘结材料(除积层胶膜外)应符合 GB/T 33015的相关规定,应满足封装基板对粘结片的外观要求,及压合后平面方向的热膨胀系数要求和厚度精度要求等,其中封装基板用积层胶膜还应满足制造过程中的化学镀铜或真空溅射镀铜或离子注入镀铜的结合力要求,并应符合采购文件的规定或供需双方的商定。

采购文件应规定适用的介质类型、介质厚度、绝缘特性、覆金属箔类型及覆金属箔厚度(质量)等规格。当有其他要求时,则应在采购文件中对这些要求作出明确规定。

除另有规定外,封装基板应使用低轮廓型铜箔,封装基板用铜箔的类型应符合 GB/T 4721—2021中4.3.3.1的规定,对于未包括在 GB/T 4721—2021中4.3.3.1的铜箔型号,应符合采购文件的规定或由供需双方商定。

除另有规定外,封装基板用铜箔类型外的其他要求应符合 GB/T 5230和 GB/T 31471的规定,封装基板用覆树脂铜箔应符合SJ/T 11551的规定,应满足封装基板对铜箔的外观要求、厚度精度、轮廓要求等,以及对载体铜箔的要求等,并应符合采购文件的规定或供需双方的商定。厚度小于5
μm 铜箔应符合采购文件的规定或供需双方的商定

除另有规定外,封装基板用液态感光型阻焊剂应按封装基板的应用等级选用SJ/T 10309—2016中对应等级的阻焊剂,应满足封装基板上最小导体宽和导体间距的绝缘性能、附着力及导通孔保护的要求等,并符合采购文件的规定或供需双方的商定。

除另有规定外,封装基板用干膜型阻焊剂,应满足封装基板上最小导体宽度和导体间距的绝缘性能、附着力、厚度均匀性的要求等,并符合采购文件的规定或供需双方的商定。

阻焊剂应能耐受在后期制造过程中的助焊剂、焊剂、清洁溶剂、粘接、无铅再流焊、清洗过程和涂覆过程的处理,以及与封装材料的兼容等。

除另有规定外,封装基板用导通孔保护材料应符合SJ/Z 21284的规定;使用阻焊剂时,应符合5.3.4的规定;使用塞孔树脂时,应满足和孔壁铜的结合力、与化学镀铜或真空溅射镀铜或离子注入镀铜的结合力要求,满足和封装基板材料的膨胀系数匹配要求等;应符合采购文件的规定或供需双方的商定

除另有规定外,封装基板用预置锡球应符合 SJ/T 11584的规定,标称直径小于100
μm 的锡球或以非锡基材料为主体的焊球,应符合采购文件的规定或供需双方的商定。

5.4 外观和尺寸

5.4.1.1 基材边缘

除另有规定外,成品封装基板边缘出现的裂纹、碎屑、分层、晕圈、缺口、划痕等缺陷,其向内渗透的长度应不超过边缘与最近导体距离的50%或0.50 mm,两者取小值,其沿封装基板边缘的长度应不大于2.5 mm。对于非金属毛刺,只要不会脱落或不影响封装和功能,则可接收除另有规定外,按条交付的封装基板的边缘的金属毛刺长度应不大于0.20 mm,按单体交付的封装基板的边缘应无金属毛刺。

除另有规定外,非支撑孔或槽边缘出现的裂纹、碎屑、分层、晕圈、缺口、划痕等缺陷,应不影响孔径槽的长和宽公差,沿半径方向的长度应小于孔或槽边缘到最近导体间距的50%,且未伤及孔环外图形和阻焊。

5.4.1.2 表面缺陷

5.4.1.2.1 一般要求

封装基板应无局部基材破损或穿孔。局部出现因树脂团聚或基材粗糙导致的介质层色差可接收。封装基板局部出现表面缺陷(如起泡、毛刺、压痕、外来夹杂物、缺口、树脂烧焦、缺树脂、划痕、变色、污染或其他有损基材性能的可见缺陷)满足下列要求时,则可接收:

a) 缺陷未使单体外相邻导电图形之间跨接;
b) 缺陷未使相邻导电图形之间的间距减小到小于规定的最小间距要求。

5.4.1.2.2 露纤维、露织物或纤维断裂

除另有规定外,单体外表面增强材料露纤维、露织物或纤维断裂应未延伸到单体内;对1级、2级用封装基板,单体内表面增强材料露纤维、露织物或纤维断裂未使相邻导电图形之间的间距减小到小于规定的最小间距要求,则可接收;对3级用封装基板,则不应接收

5.4.1.2.3 表面凹坑和空洞

除另有规定外,单体外基材表面的凹坑和空洞应未延伸到单体内;单体内基材表面,对3级用封装应无凹坑或空洞;对1级、2级用封装基板满足下列要求时,则可接收:

a) 最大深度不大于2 μm ;
b) 未使导电图形之间跨接。

5.4.1.2.4 显布纹

除另有规定外,显布纹可接收。

5.4.1.2.5 异物

除另有规定外,单体外基材表面的异物不应延伸到单体内;单体内基材表面的非金属异物不应桥接相邻的导体,未使相邻导体之间的间距减小到小于规定的最小间距要求;单体内基材表面不应有金属异物。

5.4.1.3 表面下缺陷

5.4.1.3.1 一般要求

除另有规定外,单体内的分层、起泡、气泡、空洞、晕圈和皱褶不应接收,单体外的则不应延伸到单体内;因材料本身特性引起的基材色差(如局部树脂聚集引起的介质层颜色加深),可接收,其他原因导致的色差不应接收。

5.4.1.3.2 外来夹杂物

除另有规定外,封装基板单体外不挥发、不移动的外来夹杂物应未延伸到单体内;单体内金属丝键合区、预置焊球区、焊盘区应无外来夹杂物,单体内其他区域的外来夹杂物满足以下要求,则可接收:

a) 外来夹杂物是半透明的;
b) 外来夹杂物未使相邻导电图形之间的间距减小到小于规定的最小间距要求。

5.4.1.3.3 白斑和微裂纹

除另有规定外,封装基板单体外的白斑和微裂纹应未延伸到单体内,单体内不应有白斑和微裂纹

5.4.2.1 一般要求

除另有规定外,封装基板、鉴定检验用试样及每套质量一致性检验用测试图形(与单个附连测试板对应)均应当作标记 以保证封装基板 鉴定检验用试样 质量一致性检验用测试图形之间和制造历史的可追溯性,并可识别供应商(商标等)。应采用与生产导电图形相同的工艺制作蚀刻标记,或使用激光标记装置,在用于标记的金属区域或阻焊区域上制作出日期代码、条形码或二维码等标记。使用日期代码时,其格式应由采购方决定或供需双方商定,以实现对生产操作完成日期的可追溯性。蚀刻标记应当视为电路的电气元件,且不应降低电气间距的要求。

所有标记均应符合相关文件的规定。所有标记均应能与后续加工使用的材料及部件相兼容,能经受封装基板制造、封装、组装和使用过程中的焊剂、清洗溶液和熔融焊料的侵蚀,清晰可辨,不影响封装基板的性能。所有标记在物理性能、化学性能或环境性能检验中应清晰可辨,且在任何情况下均不影响封装基板的性能。

5.4.2.2 蚀刻标记

除另有规定外,蚀刻标记(字符型、圆型、T 字型、十字型等)应符合5.4.3的规定和满足以下要求:

a) 标记应清晰可辨;
b) 标记应不违反最小电气间隙的要求;
c) 标记上的其他缺损、过腐蚀、不规则的边缘缺损或突出、变形等,不应影响光学辨识。

5.4.2.3 激光标记

按采购文件或布设总图的要求,激光标记的方式应是不打穿阻焊的不露铜方式,或打穿阻焊露铜的方式,或打穿阻焊后铜面镀覆镍金的方式,或金面激光打黑的方式等。

激光标记的面次(正面、背面)、位置(如单体中间、条的边缘等)、形状(如方形、圆形、X 形等)、尺寸(长、宽、直径等)、条的唯一识别编码等应符合采购文件和布设总图的规定,或供需双方的商定激光加工的条形码、二维码标记应能正确读取。除另有规定外,条形码或二维码标记出现涂污、模糊、形状不规则、局部色差、镍/金点状渗镀,但仍能正确读取时,可接收。

5.4.3.1 导电图形与基材粘结

交收态下,导电图形与基材之间不应出现任何剥离和起翘

5.4.3.2 导体最终表面镀层或涂层

5.4.3.2.1 导体表面最终镀层或涂层的覆盖性

除另有规定外,导电图形表面镀涂层应符合下列规定及表1规定(封装基板的区域划分按附录 A):

a) 导电图形的垂直边缘允许不完全被镍金镀涂层覆盖;
b) 导电图形表面应无镀涂层的起翘或分离;
c) 导电图形表面的焊料或镀层应无晶须;
d) 采用有机可焊性保护膜处理时,焊盘及孔内膜层应光泽均匀,变色和污染应满足5.4.3.2.5的要求。

区域	要求
键合区	10倍放大镜下观测,无露镍、露铜和露基材
倒装晶片放置区(未预置焊球)	10倍放大镜下观测,无露镍、露铜和露基材
倒装晶片放置区(已预置焊球)	焊盘上无未预置焊球、预置焊球不完整或预置焊球偏移导致的露焊盘现象
板边连接器连接盘	10倍放大镜下观测,无露镍、露铜和露基材
正面其他焊盘区、蚀刻标记、注胶口、背面静电释放(ESD)金属区、背面焊盘区等	10倍放大镜下观测,对1级、2级用封装基板,露镍、露铜或露基材面积不大于焊盘或蚀刻标记面积的10%,对3级用封装基板不大于焊盘或蚀刻标记面积的5%

5.4.3.2.2 导体表面最终镀层或涂层的划伤

除另有规定外,导体表面最终镀层或涂层在外部硬物质机械力(刮、擦、划)作用下所造成的导体表面划伤应按表2判定,封装基板的区域划分应符合附录 A 的要求。

区域	要求
键合区	10倍放大镜下观测,无划伤露镍、露铜和露基材
倒装晶片放置区(未预置焊球)	10倍放大镜下观测,划伤未露铜、露基材和造成线路弯曲受损
倒装晶片放置区(已预置焊球)	见5.4.6
正面其他焊盘区、背面焊盘、蚀刻标记	1)划伤未露铜和露基材,且未超过焊盘或蚀刻标记面积的20%;2)划伤未露基材,划伤露铜长度未超过0.1mm,且未超过焊盘或蚀刻标记面积的10%;3)刷磨造成的刷痕未露铜和露基材,且与正常表面高度差未超过3μm
注胶口、背面ESD金属区	划伤未造成注胶口、背面ESD金属区贯穿,且未超过注胶口或背面ESD金属区面积的25%
板边连接器连接盘	白光下30cm目视,划伤未露镍、露铜和露基材,划伤长度不大于2.50mm,宽度不大于0.50mm,且单体内不超过3处

5.4.3.2.3 导体表面最终镀层或涂层异物

除另有规定外,单体外导体表面最终镀层或涂层异物应未延伸到单体内,高度不大于15 μm ,单体内则应满足以下要求:

a) 键合区、晶片放置区(未预置焊球)、蚀刻标记表面应无异物;
b) 板边连接器连接盘上的异物尺寸不大于0.25 mm,高度不大于10 μm ,每个单体不多于5处;
c) 注胶口、背面 ESD金属区的异物尺寸不大于1.27 mm,高度不大于15 μm ,面积不大于注胶口或背面 ESD金属区面积的20%;
d) 其他区域焊盘或蚀刻标记上的异物未跨接相邻导体,未使相邻导体之间的间距减小到小于规定的最小间距要求,尺寸不大于50 μm ,高度不大于15 μm 和不高于阻焊膜,两者取小值,面积不大于导体面积的10%。

5.4.3.2.4 导体表面最终镀层或涂层渗镀

除另有规定外,单体外导体表面最终镀层或涂层渗镀应未延伸到单体内,单体内则不应桥接相邻的导体,未使相邻导体之间的间距减小到小于规定的最小间距要求

5.4.3.2.5 导体表面最终镀层或涂层的变色和污染

除另有规定外,导体表面最终镀层或涂层的变色或污染应按表3判定,封装基板的区域划分应符合附录 A 的要求。

展开文字版（以图片为准）

5.4.3.2.6 未填塞镀覆孔的镀层或最终镀涂层空洞

除另有规定外,3级用封装基板未填塞镀覆孔不允许有镀层或最终涂层空洞,1级、2级用封装基板未填塞镀覆孔的镀层或最终镀涂层空洞应符合下列规定:

a) 镀层或最终镀涂层空洞不超过一个;
b) 有镀层或最终镀涂层空洞的孔数量不超过孔总数的5%;
c) 任何镀层或最终镀涂层空洞的尺寸不大于孔长的5%;
d) 不存在大于90°的环状空洞。

5.4.3.2.7 金属丝键合连接盘的表面粗糙度

金属丝键合连接盘的表面粗糙度应满足采购文件或布设总图的要求,没有明确要求时,应由供需双方商定。

5.4.3.3 导电图形缺陷

5.4.3.3.1 一般要求

导电图形应无断裂、裂缝或撕裂。倒装芯片放置区、正面其他焊盘区、背面焊盘区应无在10倍放大镜下可见的裂痕或崩缺。除另有规定外,导电图形上的任何缺陷或缺陷组合(如边缘粗糙、缺口、针孔或露基材的划痕)使导体宽度的减少,应满足表8的要求

5.4.3.3.2 划痕

除另有规定外,接地层或电源层允许有未暴露基材的划痕;金属丝键合区和倒装晶片放置区(未预置焊球)焊盘外的导电图形允许有划痕,但其深度应不大于导电图形总厚度的20%

5.4.3.3.3 压痕或凹陷

除另有规定外,导体图形上压痕或凹陷应未露镍或露铜,允许有电测试探针压痕,接地层允许有未使金属箔表面撕裂的压痕,其他区域的压痕或凹陷应按表4判定,封装基板的区域划分应符合附录 A的要求。

区域	要求a
键合区	重要区在10倍放大镜下无电测试探针压痕以外的压痕或凹陷;非重要区压痕或凹陷直径不大于50μm,深度不大于5μm
倒装晶片放置区(未预置焊球)	压痕或凹陷面积不大于焊盘面积的10%,深度不大于10μm
倒装晶片放置区(已预置焊球)	见5.4.6
正面其他焊盘区、背面焊盘区、蚀刻标记、注胶口、背面ESD金属区	压痕或凹陷面积不大于焊盘面积的10%,深度不大于10μm,尺寸不大于1.27mm
板边连接器连接盘	压痕或凹陷深度不大于5μm,尺寸不大于0.50mm,且单体内应不超过3处
a所有区域,刷磨导致的局部凹陷痕迹不计算直径和面积百分比,但凹陷深度不大于3μm。

5.4.3.3.4 凸起

除另有规定外,导电图形的凸起应按表5判定,封装基板的区域划分应符合附录 A 的要求。

区域	要求a
键合区	重要区无凸起,非重要区凸起高度应不大于5μm
倒装晶片放置区(未预置焊球)	凸起高度不大于10μm,凸起面积不大于焊盘面积的10%
倒装晶片放置区(已预置焊球)	见5.4.6

区域	要求a
正面其他焊盘区、背面焊盘区、蚀刻标记	凸起高度不大于15μm且不高于阻焊表面,凸起面积不大于焊盘或蚀刻标记面积的10%
板边连接器连接盘	对于3级用封装基板,无凸起;对于1级、2级用封装基板,凸起高度不大于10μm,凸起尺寸不大于0.25mm,凸起面积不大于连接盘面积的10%
注胶口、背面ESD金属区	凸起高度不大于15μm
a所有区域,刷痕导致的局部凸起痕迹不计算直径和面积百分比,但应满足凸起高度的要求。

5.4.3.3.5 针孔或缺口

除另有规定外,导电图形上的针孔或缺口应按表6判定,封装基板的区域划分应符合附录 A 的要求。

区域	要求
键合区	重要区无针孔或缺口;非重要区针孔或缺口使键合连接盘宽度的减少不大于30%
正面其他焊盘区和背面焊盘区、倒装晶片放置区(未预置焊球)、蚀刻标记	线路上的针孔或缺口符合5.4.4.1的规定;焊盘完好区内和蚀刻标记的中心处的无针孔或缺口;焊盘完好区外针孔或缺口不大于焊盘直径的20%或焊盘边长的20%;蚀刻标记非中心处的针孔或缺口不大于标记直径或宽度的20%
倒装晶片放置区(已预置焊球)	不适用
板边连接器连接盘	对于3级用封装基板,无针孔或缺口;对于1级、2级用封装基板,针孔或缺口沿连接盘长方向的长度不大于0.50 mm,沿连接盘宽方向的长度不大于连接盘宽度10%,且单体内未超过3处
正面或背面的网格图形	在单体内针孔或缺口不大于1 mm;在单体外针孔或缺口不大于5 mm
注胶口、背面ESD金属区	在单体内允许针孔或缺口不大于20%注胶口宽度;在单体外针孔或缺口不大于1 mm

5.4.3.3.6 残留金属

除另有规定外,孤立的残留金属或蚀刻不净的残铜,应满足表7的要求,封装基板的区域划分应符合附录 A 的要求。

区域	要求
键合区	残留金属使连接盘间距的减小不大于30%

区域	要求
倒装晶片放置区(未预置焊球)	无残留金属
倒装晶片放置区(已预置焊球)	无残留金属
正面其他焊盘区或背面焊盘区、蚀刻标记	1)焊盘间无阻焊坝时,无残留金属;2)焊盘间有阻焊坝时,残留金属使焊盘间距的减小,对于3级用封装基板,不大于30%,对于1级、2级用封装基板则不大于50%
正面或背面线路区	残留金属使导体间距的减小,对于3级用封装基板,不大于30%,对于1级、2级用封装基板则不大于50%
注胶口、背面ESD金属区、切割道、附边区	残留金属不影响电气性能,可接收
板边连接器连接盘	残留金属使导体间距的减小,对于3级用封装基板,不大于30%,对于1级、2级用封装基板则不大于50%
工艺引线蚀刻后	残留的引线蚀刻端应平滑,无毛刺、镀层起翘、引线与基材分离,未造成短路,且残留引线长度不大于0.10 mm

5.4.4.1 导体宽度

除另有规定外,键合连接盘、正面和背面其他焊盘、蚀刻标记的尺寸测量以焊盘或蚀刻标记的顶部为准,导线宽度的测量以导线底部为准,导电图形的缺陷如边缘粗糙、缺口、针孔或露基材的划痕等使导体图形宽度的减少应符合下列规定及表8的规定:

a) 键合连接盘、正面和背面其他焊盘、蚀刻标记所有方向(如圆形焊盘的所有直径方向,矩形焊盘的长、宽方向等)的公差都应满足表8的要求;
b) 键合连接盘、正面和背面其他焊盘、蚀刻标记、导线两边缺陷合并后使宽度的变化应满足表8的要求。

导体宽度W(设计值)	公差要求(与设计值比)
	1级、2级用封装基板	3级用封装基板
W>80 μm	±20%	±10%
50 μm±30%±20%	±30%	±20%
10 μm≤W≤50 μm	±50%	±30%
W<10 μm	±50%	±50%

5.4.4.2 导体间距

除另有规定外,导体间距的测量以导体底部为准,对于3级用封装基板,导电图形之间的孤立突出、 相对突出、相邻突出使导体间距的减小应不超过规定间距的30%,1级、2级用封装基板应不超过规定间距的50%。

5.4.4.3 外层环宽

除另有规定外,允许孔边与焊盘边缘相切,但不应破环;对于1级、2级用封装基板,焊盘与导线连接处的环宽应不小于布设总图中最小导线宽度的50%;对于3级用封装基板,焊盘与导线连接处的环宽应不小于布设总图中最小导线宽度的70%。

5.4.5.1 覆盖性

阻焊膜不应出现粉化、裂纹、脱落、跳印、发粘、膨胀或褶皱等缺陷,10倍放大镜下应无可见的露铜、露铜处上金或上锡。除另有规定外,阻焊膜覆盖缺陷(例如起泡、跳印和空洞)应满足下列要求。

a) 阻焊膜缺陷未使两相邻导电图形裸露;在包含平行导线的区域,阻焊膜完全覆盖了任何相邻的两条绝缘导线,除非其中一条导线是测试点或为了后续操作有意不覆盖阻焊膜的区域。
b) 阻焊膜完全覆盖了要求用阻焊剂掩盖或填充的导通孔,覆盖导通孔的干膜型阻焊无空洞。
c) 单体内非电路区允许存在阻焊麻点或空洞,但满足阻焊膜附着力的要求;电路区阻焊膜覆盖区域无露铜或露基材,单体外露铜或露基材不应影响基板功能区
d) 阻焊膜与封装基板基材以及导电图形边缘无可见的吸管状阻焊浮空。
e) 定位孔阻焊膜的裂痕或崩缺不影响孔径和位置公差;边轨区阻焊膜裂痕或崩缺(从板边向板内方向)不大于1.0 mm,且未延伸到单体内。
f) 单体交付的板边阻焊膜崩缺未使导体裸露,沿板边方向长度不大于2.50 mm,向板内方向延伸的尺寸不大于0.38 mm,且未延伸到最靠近板边的焊盘或镀覆孔。

5.4.5.2 划伤

除另有规定外,阻焊膜在外力(刮、擦、划等)作用下所造成的划伤应满足以下要求:

a) 单体内的阻焊膜划伤未露铜或露基材,宽度不大于0.25 mm,长度不大于2.54 mm;
b) 单体内或单体外阻焊膜表面摩擦或剐蹭痕迹的深度不大于3 μm ,宽度不大于30 μm ;
c) 单体外边轨区阻焊膜划伤未露铜或露基材。

5.4.5.3 重合度

5.4.5.3.1 一般要求

除另有规定外,阻焊重合度应满足以下要求:

a) 阻焊偏移未覆盖任何布设总图上供封装或组装测试用的蚀刻标记、测试点等导电图形;
b) 阻焊偏移未使被阻焊覆盖的导电图形金属露出。

5.4.5.3.2 矩形或多边形表面安装连接盘

阻焊限定的矩形或多边形连接盘,阻焊偏移未破出焊盘,非阻焊限定的矩形或多边形的连接盘(含板边连接器连接盘),不准许阻焊膜侵入连接盘的任一边。

5.4.5.3.3 镀覆孔或非支撑孔

除另有规定外,镀覆孔或非支撑孔的阻焊重合度应符合下列规定,如图3所示

a) 阻焊图形与镀覆孔或非支撑孔连接盘的错位,阻焊膜错位未上盘,如图3a)所示;阻焊图形的错位使外层环宽的减小未低于规定的最小环宽要求,如图3b)所示;阻焊图形的错位使外层环宽的减小低于规定的最小环宽要求,则不应接收,如图3c)所示。
b) 允许阻焊膜进入非焊接或压接的镀覆孔内,但不应进入焊接或压接的镀覆孔内。

标引序号说明:

1———阻焊膜边缘;
2———连接盘;
3———镀覆孔。

图 3 镀覆孔的阻焊图形重合度示意图

5.4.5.3.4 圆形表面安装连接盘

除另有规定外,圆形表面安装连接盘的阻焊重合度应符合下列规定:

a) 阻焊膜限定的连接盘,如图4a)所示,阻焊偏移未破出焊盘;
b) 非阻焊膜限定的连接盘,如图4b)所示,阻焊偏移未侵入连接盘;
c) 阻焊膜限定和非阻焊膜限定连接盘的阻焊膜偏移量不大于30 μm ;

d) 覆盖在连接盘与镀覆孔连接的导线上的阻焊坝,如图4c)所示,应未脱落。

标引序号说明:

1———阻焊膜;

2———连接盘;

3— 阻焊坝。

图 4 阻焊膜限定的连接盘

5.4.5.4 阻焊膜厚度

除另有规定外,按6.2.1的规定检验后,封装基板在阻焊限定或非阻焊限定焊盘处的高度应高于焊盘,导体图形上 A 处(导体表面)和 B处(导体拐角)的阻焊膜厚度最大不应超过 30 μm ,最小应不小于4 μm ,测量位置如图5所示。其他测量位置与厚度要求由供需双方商定。

标引序号说明:

1———导体;

2———阻焊膜;

3———基材。

图 5 阻焊膜厚度的测量

5.4.5.5 阻焊膜的侧蚀和残足

阻焊膜的侧蚀和残足的测量如图6所示。除另有规定外,阻焊膜侧蚀和残足应满足以下要求:

a) 导体上的阻焊膜侧蚀或残足不大于 10 μm 基材上的阻焊膜侧蚀或残足不大于 20 μm;
b) 阻焊膜侧蚀未导致应覆盖的阻焊限定焊盘导体底部露铜;
c) 双侧阻焊膜侧蚀未导致阻焊膜底部贯穿脱落或浮空。

标引序号(符号)说明:

1 阻焊膜;
2 导体;
3 基材;
1 残足;
1、2、3 侧蚀。

图 6 阻焊膜侧蚀和残足的测量示意图

5.4.5.6 阻焊膜的变色或污染

除另有规定外,在满足阻焊膜厚度的要求时,单体外的阻焊膜变色或污染可接收;单体内阻焊膜下铜面擦伤或擦花造成的阻焊膜变色,不应接收;单体内的以下变色或污染可接收:

a) 已固化阻焊膜下面金属表面的变色;
b) 因阻焊膜厚度或铜镀层厚度差异导致的阻焊膜变色;
c) 由于导通孔填充凹陷造成的线路或导通孔处的阻焊膜颜色差异;
d) 由于阻焊膜上无深度的水痕、滚轮印迹、阻焊膜压印痕迹或其他痕迹引起的变色;
e) 阻焊膜变色或污染未桥接两个相邻焊盘;
f) 晶片放置区的阻焊膜变色或污染,尺寸不大于0.50 mm,面积不大于该区域的5%;
g) 晶片放置区外的阻焊膜变色或污染,尺寸不大于1.27 mm;
h) 变色或污染面积累计未超过单体面积的10%。

5.4.5.7 阻焊膜的残留

除另有规定外,蚀刻标记、晶片放置区和键合区焊盘上应无阻焊膜残留;正面其他焊盘和背面其他焊盘表面的阻焊膜残留不应侵占焊盘的完好区;对矩形表面安装连接盘,完好区外的阻焊残留尺寸不大于焊盘长或宽的10%;对圆形表面安装连接盘,完好区外的阻焊残留尺寸不大于焊盘直径的10%

5.4.5.8 阻焊膜的凹陷

除另有规定外,非阻焊塞孔处的阻焊膜凹陷应符合以下规定:

a) 晶片放置区的阻焊膜凹陷,对1级、2级用封装基板,尺寸不大于1.27 mm,对3级用封装基板,尺寸不大于0.50 mm;
b) 其他区域的阻焊膜凹陷,尺寸不大于1.27 mm;
c) 深度不大于15 μm ,未因为阻焊膜凹陷产生露铜或露基材。

5.4.5.9 阻焊膜的凸起

除另有规定外,非阻焊塞孔处的阻焊膜凸起应符合以下规定。

a) 晶片放置区的阻焊膜凸起,对1级、2级用封装基板,高度不大于10 μm ,尺寸不大于0.50 mm;对3级用封装基板,阻焊膜不凸起。
b) 其他区域的阻焊膜凸起,高度不大于15 μm ;尺寸不大于1.27 mm 。
c) 未因为阻焊膜的凸起,使板厚超出公差。

5.4.5.10 阻焊膜的高度差

除另有规定外,阻焊膜的高度差应符合以下规定:

a) 液态感光型阻焊剂未压平工艺,阻焊塞孔处的高度差不大于25 μm ,其他区域不大于15 μm ;
b) 液态感光型阻焊剂压平工艺,阻焊塞孔处的高度差不大于10 μm ,其他区域不大于7 μm ;
c) 干膜型阻焊剂,阻焊膜的高度差不大于 5 μm

5.4.5.11 阻焊膜异物

除另有规定外,阻焊膜表面的异物应符合以下规定:

a) 异物为非金属异物;
b) 单体内的异物未桥接任何相邻的导体;
c) 晶片放置区的阻焊膜异物不多于一处,高度不大于10 μm ,尺寸不大于0.50 mm,面积不大于该区域的5%;
d) 单体内晶片放置区外的阻焊膜异物,高度不大于15 μm ,尺寸不大于1.27 mm;
e) 单体外的阻焊膜异物未延伸到单体内。

5.4.5.12 阻焊膜裂纹

除另有规定外,单体外的阻焊膜裂纹应未延伸到单体内,单体内的阻焊膜裂纹应符合以下规定:

a) 未导致露基材或导体;
b) 未跨接任何相邻的导体;
c) 未使相邻导电图形之间的间距减小到小于规定的最小间距要求;
d) 裂纹的尺寸不大于0.50 mm;
e) 裂纹未延伸到镀覆孔或预置焊球焊盘。

5.4.5.13 阻焊膜气泡

除另有规定外,单体外的阻焊膜气泡应未延伸到单体内,单体内的阻焊膜气泡应符合以下规定:

a) 未导致露基材或导体;
b) 未跨接任何相邻的导体;
c) 未使相邻导电图形之间的间距减小到小于规定的最小间距要求;
d) 直径不大于0.25 mm。

除另有规定外,封装基板上的所有焊球应符合以下规定:

a) 焊球表面无异物;
b) 无焊球缺失,焊球缺损或裂痕未超出焊球直径的50%;
c) 有压平要求的焊球表面已压平,其尺寸符合5.4.8.10.2中的规定;
d) 任意两个相邻焊球的偏移或突出未使焊球间距减小超过50%;
e) 焊球上表面允许存在测试针痕;

f) 焊球垂直方向上的划伤未裸露焊盘和未超过焊球高度的50%;
g) 焊球平面方向上的划伤未裸露焊盘和未超过焊球上表面面积的50%。

除另有规定外,3级用封装基板的非支撑孔和非支撑槽内无任何异物,1级、2级用封装基板的非支撑孔和非支撑槽内异物应符合以下规定:

a) 无导电异物进入非支撑孔和非支撑槽孔;
b) 非导电异物进入非支撑孔和非支撑槽孔,满足孔径或槽公差要求。

5.4.8.1 一般要求

封装基板尺寸(包括外形、厚度、孔、槽等)应符合采购文件或布设总图中尺寸及公差的规定。

5.4.8.2 导体图形位置度

除另有规定外,封装基板上所有基准点(或称光学定位点、对位点)之间的间距、焊盘中心到板边的间距应满足表9的要求。按条交付的,成品尺寸按条的尺寸,按单体交付的,成品尺寸按单体尺寸。

成品尺寸	X、Y方向基准点位置公差、焊盘中心到板边位置公差
	1级、2级用封装基板	3级用封装基板
尺寸≤120 mm	±100 μm	±50 μm
120 mm<尺寸≤190 mm	±100 μm	±75 μm
190 mm<尺寸	±100 μm	±100 μm

5.4.8.3 导体图形表面高度差

除另有规定外,封装基板上导体图形的表面高度差应满足表10的要求,封装基板的区域划分应符合附录 A 的要求。

区域	高度差要求a,b
键合区	重要区低于正常表面不大于3μm,且高出正常表面不大于5μm
倒装晶片放置区(未预置焊球)	高出或低于正常表面不大于10μm
倒装晶片放置区(已预置焊球)	见5.4.8.10.2
正面其他焊盘区、背面焊盘区、注胶口、背面ESD金属区	1级、2级用封装基板高出或低于正常表面不大于15μm,3级用封装基板高出或低于正常表面不大于10μm
板边连接器连接盘	对于3级用封装基板,不高于正面表面;对于1级、2级用封装基板,高于表面不大于10μm;低于正常表面不大于5μm
a适用于所有异常(包括凹陷、凸起、外来物、褶皱、划伤等)。b所有区域,仲裁通过三维测量仪器(轮廓仪)或切片测量实际高度差。

5.4.8.4 孔位置度

除另有规定外,封装基板上任意两个孔(镀覆孔、非支撑孔或非支撑槽)之间的中心距位置度公差,对1级、2级用封装基板为±75
μm
,对3级用封装基板为 ±50 μm 。

5.4.8.5 镀覆孔和非支撑孔尺寸

封装基板上镀覆孔和非支撑孔的尺寸应符合采购文件或布设总图的规定。除另有规定外,镀覆孔内结瘤和镀层粗糙使孔径的减小应不小于规定的最小孔径要求,镀覆孔或非支撑孔的孔径公差为±50 μm 。

5.4.8.6 非支撑槽尺寸

封装基板上非支撑槽的尺寸应符合采购文件或布设总图规定。除另有规定外,非支撑槽内毛刺等使槽尺寸的减小应不小于规定的最小槽尺寸要求,其长方向的尺寸公差为± 100 μm ,宽方向的尺寸公差为±50
μm
。

5.4.8.7 阻焊开窗尺寸公差

除另有规定外,阻焊开窗尺寸公差应满足表11的要求

阻焊开窗(设计值)	公差
阻焊开窗≤100	±15
150≥阻焊开窗>100	±20
300≥阻焊开窗>150	±25
阻焊开窗>300	±30

5.4.8.8 板厚

封装基板成品板厚应当符合采购文件或布设总图的规定,除另有规定外,板厚小于1.0 mm 时,板厚公差为±15%,板厚不小于1.0 mm 时,板厚公差为±10%。

5.4.8.9 外形尺寸

除另有规定外,按条交付的封装基板的外形尺寸公差为 ±100 μm 按单体交付的封装基板的外形尺寸公差为± 75 μm 。

5.4.8.10 预置焊球

5.4.8.10.1 预置焊球的直径公差

除另有规定外,晶片放置区圆形预置焊球的投影直径或椭圆形预置焊球的长轴和短轴的投影尺寸公差为 ±15 μm ,如图7a)和图7b)所示。

标引符号说明:

D₁ 、 D₂ 圆形焊盘的直径;

D₃ 椭圆形焊盘的短轴;

D₄ 椭圆形焊盘的长轴

图 7 预置焊球直径的测量位置要求

5.4.8.10.2 预置焊球的尺寸

除另有规定外,按 6.1.2.9 的规定检验时,焊球空洞的投影总面积与焊球投影面积比应不大于15%,封装基板上的晶片放置区预置焊球(如图8)应满足表12的要求。

项目	节距(D1)	要求(D2)
预置焊球顶部直径(D2)	≥180	40~150
	180 > D1 ≥150	20~120
	150 > D1 ≥120	20~100
	120 > D1 ≥90	20~80
预置焊球高度(H)	所有节距	5~30
预置焊球共面性(DeltaH)	所有节距	≤25

标引序号(符号)说明:

1 ———焊盘;

2 ———基材;

3 ——— 阻焊;

D₁ 焊球节距;

D₂ 预置焊球顶部直径;

ΔH———预置焊球共面性;

———预置焊球高度。

图 8 预置焊球尺寸测试示意图

5.5 结构完整性

封装基板层间的最小介质厚度应符合采购文件或布设总图的规定,测量时以介质层两侧导体最靠近的部分(峰对峰)为基准,如图9所示。除另有规定外,介质片的张数应由供应商选择以保证最小介质层厚度,不同厚度粘结片或积层胶膜压合后的介质层厚度公差应符合表13的规定,芯板的介质层厚度公差应满足 GB/T 4721—2021中 C/M 级的要求。具有传输线阻抗设计的产品应在采购文件中规定相应的要求。

介质层厚度设计值(D)	1级、2级用封装基板介质层厚度公差	3级用封装基板介质层厚度公差
50±15±13	±15	±13
30±12±10	±12	±10
20±10±8	±10	±8
15±8±6	±8	±6
10≤D≤15	±4	±4

标引序号(符号)说明:

1 ———导体;

2 ———介质层;

———介质层厚度。

图 9 层间介质厚度的测量

除另有规定外,内、外层导电图形的厚度和公差应符合表14的规定,测量时以铜层两侧轮廓中间位置为基准,如图10所示。

标称厚度(D)	1级、2级用封装基板		3级用封装基板
	厚度公差	最小厚度	厚度公差	最小厚度
25±920±720	±9	20	±7	20
20±815±616	±8	15	±6	16
10±77±57	±7	7	±5	7
5≤D≤10	±4	3	±3	3

标引序号(符号)说明:

1 ———介质层;

2 ———导电图形;

———导电图形厚度。

图 10 导电图形最小厚度测量示意图

5.5.3.1 导电图形最终镀层或涂层的厚度

除另有规定外,应满足表15的要求,表中有两种厚度规格的,按供需双方的商定选择。

表面处理类型	应用场景	镀层类型	镀层厚度要求
			规格A	规格B
电镀镍金(软金)	键合连接盘和焊接用连接盘	Au	≥0.2
		Ni	3.0~8.0	5.0~15.0
电镀镍金(硬金)	板边连接器连接盘	Au	≥0.2
		Ni	3.0~15.0
化学镀镍/浸金	键合连接盘和焊接用连接盘	Au	0.05~0.15
		Ni	3.0~8.0
化学镀镍/化学镀钯/浸金	焊接用连接盘(不含键合连接盘)	Au	0.03~0.15
		Pd	0.03~0.15
		Ni	0.3~0.6	3.0~8.0
	键合连接盘和焊接用连接盘	Au	0.05~0.15
		Pd	0.05~0.15
		Ni	3.0~8.0
有机可焊性保护膜	焊接用连接盘	有机可焊性保护膜	覆盖并可焊
化学浸锡	焊接用连接盘	Sn	≥1.0

5.5.3.2 镍、钯镀层中的磷含量

除另有规定外,化学镀镍/浸金的镍镀层中磷含量应控制在 6% ~14%(质量百分比)。化学镀镍/化学镀钯/浸金的镍镀层中的磷含量应控制在5%~12%(质量百分比),钯镀层中的磷含量应控制在5%~12%(质量百分比)。

5.5.3.3 镀覆孔的孔铜厚度

除另有规定外,非镀铜填充的2层和大于2层的镀覆孔(含微导通孔、埋孔、盲孔)的铜镀层(包括孔壁、拐角)厚度应分别符合表16和表17的规定。镀覆孔经树脂填充和盖覆电镀后,如图11所示。

任何铜镀层(包括孔壁、拐角)厚度小于规定的最小铜厚应认为是空洞,该空洞被导电图形表面镀层或涂层材料覆盖后(如在孔壁镀镍金之后)的情况仍应认为是空洞。玻璃纤维突出可能导致局部区域铜厚度较薄,但也应符合最小厚度的规定,测试应从玻璃纤维突出的末端到孔壁

标引序号说明:

1———包覆铜;
2———盖覆铜电镀层;
3———包覆铜镀层;
4———介质层;
5———填充树脂。

铜镀层	1级用封装基板	2级用封装基板	3级用封装基板
平均厚度	10	12	12
最小厚度	8	10	10
最小包覆铜镀层厚度a	5	5	5
最小盖覆铜镀层厚度	5	10	12
a当要求外层完成铜厚不大于5μm时,应采用镀铜填塞导通孔的方式。

铜镀层	1级用封装基板	2级用封装基板	3级用封装基板
平均厚度	13	15	17

铜镀层	1级用封装基板	2级用封装基板	3级用封装基板
最小厚度	11	13	15
最小包覆铜镀层厚度a	5	5	5
最小盖覆铜镀层厚度	5	10	12
a当要求外层完成铜厚不大于5μm时,应采用镀铜填塞导通孔的方式。

5.5.3.4 包覆铜镀层

除另有规定外,包覆铜镀层从填塞的镀覆孔、微导通孔或埋孔到任何电镀结构的表面是连续的,最小包覆铜镀层厚度应符合表16和表17的规定。有环宽要求时,包覆铜镀层应至少延伸出25
μm
,由于加工处理(研磨、蚀刻、整平等)减少了表面包覆铜镀层,造成包覆铜镀层不足是不准许的,如图12和图13所示。

标引序号说明:

1———基底铜箔;
2———包覆铜镀层;
3— 盖覆铜镀层;
4———不小于规定的包覆铜镀层厚度;
5———填充树脂;
6— —— 镀覆孔镀层;
7———介质。

图 12 可接收的包覆铜镀层

标引序号说明:

1———基底铜箔;
2———盖覆铜镀层;
3— —— 镀覆孔镀层;
4———填充树脂;
5———介质。

图 13 不应接收的包覆铜镀层

5.5.3.5 盖覆铜镀层

除另有规定外,最小盖覆铜镀层厚度应符合表16的规定。

当采购文件中规定盖覆铜电镀塞孔时,盖覆铜镀层从填塞的镀覆孔到任何电镀结构的表面是连续的,不应有盖覆铜镀层空洞;单体内盖覆铜镀层与填塞材料之间不应有分离,但盖覆铜镀层与底部镀层之间应无分离。盖覆铜镀层凹陷和凸起应符合5.4.8.3的规定,如图14和图15所示

标引序号说明:

1 平整的盖覆铜镀层;
2、3、4———盖覆铜镀层厚度测量点;
5 介质;
6 镀覆孔镀层;
7 填充树脂;
8 盖覆铜镀层凸起;
9 基底铜箔;
10 凸起的盖覆铜镀层;
11 盖覆铜镀层凹陷。

图 14 可接收的盖覆铜镀层

标引序号说明:

1———盖覆铜镀层分离;
2———盖覆铜镀层空洞;
3———介质;
4——— 镀覆孔镀层;
5———填充树脂;
6———盖覆铜镀层过薄;
7———基底铜箔;
8 ———盖覆铜镀层。

图 15 不应接收的盖覆铜镀层

5.5.3.6 孔壁镀层分离

除另有规定外,镀覆孔壁镀层界面之间、孔壁镀层与内层之间应无任何分离或污染。

5.5.3.7 孔壁与基材的分离

除另有规定外,镀覆孔孔壁和基材间应无分离。

5.5.3.8 金属裂缝

任何表面镀涂层和内层导体应无裂缝,任何孔壁镀层和拐角镀层上都应无裂缝,外层基铜的裂缝不延伸到镀层铜则可接收。

5.5.4.1 阻焊塞孔

除另有规定外,封装基板中使用阻焊填塞的导通孔或盲孔应满足以下要求:

a) 允许塞孔空洞,但不可有裂缝延伸至孔口,塞孔的凹陷应满足5.4.5.8的要求,塞孔的凸起应满足5.4.5.9的要求;
b) 通孔或盲孔中应填充不低于70%的填充材料。

5.5.4.2 树脂塞孔

除另有规定外,封装基板中使用树脂填塞的通孔、盲孔或埋孔应满足以下要求:

a) 允许塞孔空洞,但不可有裂缝延伸至孔口,塞孔的凹陷或凸起应符合5.4.8.3的规定;
b) 通孔、盲孔孔中应填充不低于70%的填充材料,埋孔中应填塞不低于95%的层压树脂、绝缘胶膜或类似的树脂填充材料。

5.5.5.1 镀铜填塞导通孔的填充

当釆购文件指定镀铜填塞导通孔时,导通孔应完全被铜填充。除另有规定外,镀铜填塞导通孔中的空洞应满足以下要求(可接收的镀铜填塞空洞示意图如图16和图17所示,不应接收的镀铜填塞微导通孔如图18所示):

a) 对1级、2级用封装基板,被完全密封且空洞横断面总面积不超过镀铜填塞导通孔横断面面积的30%,对3级用封装基板,则不超过25%;
b) 与空洞相邻的铜镀层的最小厚度不小于 10 μm ,且不包括盖覆电镀层厚度。

标引序号说明:

1———电镀铜层;

2———空洞。

图 16 可接收的镀铜填塞导通孔

标引序号说明:

1———盖覆铜镀层;
2———镀覆铜;
3———基材;
4———内层导体;
5———空洞。

标引序号说明:

1———盖覆铜镀层;
2———镀覆铜;
3———基材;
4———内层导体;
5———空洞。

图 18 不应接收的电镀铜填塞导通孔

5.5.5.2 镀铜填塞 X型孔的直径

除另有规定外,通过镀铜填塞的 X型孔直径满足以下要求时,可接收,如图19所示。

a) 孔口直径(D 1 和 D 2 )偏差(与设计值比)不超过±20 μm ;
b) 腰部最小处的直径不小于30 μm ;
c) 腰部最小处的直径与孔口直径(D 1 和 D 2 取大值)的比值不小于50%。

标引序号(符号)说明:

1 ———电镀铜;

2 基材;

D₁ ———上孔口直径;

D₂ 下孔口直径;

d 腰部最小处直径

图 19 镀铜填塞 X型孔

5.5.6.1 微导通孔的孔径与公差

除另有规定外,微导通孔的孔径应符合表18的规定,孔径测量如图20所示。

设计孔径(A)	孔径公差(与设计值比)	孔底直径(B)/孔口孔径(A)
A>100 μm	±25 μm	0.7≤B/A≤1
100 μm≥A>75 μm	±20 μm	0.7≤B/A≤1
A≤75 μm	±15 μm	0.7≤B/A≤1

标引符号说明:

———微导通孔孔口直径;

———微导通孔孔底直径。

图 20 微导通孔孔径测量示意图

5.5.6.2 微导通孔到目标连接盘

微导通孔到目标连接盘应无裂纹和破环现象,如图21a)和图21b)所示。

标引序号说明:

1———盖覆铜镀层;
2———铜箔;
3———目标连接盘;
4———内层导体;
5———基材;
6———空洞。

图 21 目标连接盘处孔破坏

5.5.6.3 微导通孔与目标连接盘的接触尺寸

除另有规定外,对于激光钻孔形成的微导通孔,微导通孔与目标连接盘的接触尺寸及接触面的夹杂物应满足表19的要求,如图22所示

标引序号说明:

1———捕获连接盘孔径;
2———接触面;
3 ——— 铜箔;
4———目标连接盘;
5— 基材。

特性	1级、2级用封装基板	3级用封装基板
与目标连接盘最小接触尺寸(与孔口直径比)	合计70%	连续70%

特性	1级、2级用封装基板	3级用封装基板
在微导通孔目标连接盘接触尺寸内允许的夹杂物	1个,不超过捕获连接盘中微导通孔直径的10%	连续70%接触尺寸中无夹杂物

5.5.6.4 微导通孔目标连接盘的渗透

除另有规定外,1级、2级用封装基板的微导通孔目标连接盘渗透不应使目标连接盘下的介质层厚度低于5.5.1的要求,如图23所示,3级用封装基板则不应出现渗透。渗透面积不应评价为微导通孔与目标连接盘接触尺寸的减少

标引序号说明:

1———微导通孔;

2———铜箔;

3— 基材;

4———渗透;

5———目标连接盘;

6———内层导体;

7———渗透处介质层厚度。

图 23 微导通孔与目标连接盘的渗透

5.5.6.5 微导通孔与目标连接盘间的微空洞

除另有规定外,微导通孔与目标连接盘间的微空洞未使微导通孔与目标连接盘接触尺寸减小到小于70%。

除另有规定外,若封装基板或质量符合性测试电路的内层环宽符合5.5.10的规定,即满足内层重合度的要求。

当对相邻层和内层任意层有层间重合度要求时,除另有规定外,相邻层层间偏移应不大于40
μm
,内层任意层层间偏移应不大于50
μm
。

除另有规定外,使用超声波检验或显微剖切检验时,交收态封装基板不应有分层、空洞和裂缝,可靠性试验前的预处理(6.6.1)、热应力(见6.6.2)、温度冲击(见6.6.3)、无偏置高加速温湿测试(6.6.4)、高加速温湿测试(6.6.5)、高温存储测试(6.6.6)和耐无铅再流测试(6.6.8)后,也不应有分层、空洞和裂缝。

除另有规定外,交收态封装基板的孔壁应无树脂凹缩;热应力(见 6.6.2)、温度冲击(见6.6.3)和耐无铅再流(见6.6.8)试验后,从孔壁测量得到的最大树脂凹缩深度应不大于 30 μm ,且在被评定镀覆孔的任何一边上的树脂凹缩不大于该边基材累积厚度(被评定的介质层厚度的总和)的40%

除另有规定外,封装基板的盲孔、埋孔、通孔的内层环宽允许局部相切,但不允许破盘。

交收态封装基板不应有任何连接盘起翘。热应力(见6.6.2)或温度冲击(见6.6.3)试验后,也不应有任何连接盘起翘。

除另有规定外,镀覆孔凹蚀应满足 5.5.13 的要求;当发生负凹蚀时,负凹蚀深度“5”应不大于13
μm
,负凹蚀深度“3”应不大于1
9
.5
μm
,如图24所示。

标引序号说明:

1———铜镀层;

2———钻孔孔壁;

3——— 负凹蚀深度;

4———内层连接盘。

图 24 负凹蚀示意图

导通孔应是清洁的、无树脂钻污。除另有规定外,去钻污使孔壁径向除去的材料应不大于15
μm
,随机的撕裂或钻凿造成的径向去除的深度应不大于30
μm
,不应按去钻污进行评定和拒收。

除另有规定外,若未使导电图形间距小于布设总图规定的最小绝缘间距,允许有从铜镀层向基材延伸的芯吸与去钻污之和不大于 30 μm。

除另有规定外,封装基板内层导体的钉头应不超过内层铜层实测厚度的1.5倍。

若镀覆孔内的结瘤、镀层褶皱、镀层夹杂物或增强材料突出等缺陷未使孔径和铜镀层厚度减少到低于规定的最小要求时是可接收的。

5.6 化学性能

除另有规定外,1级和2级用封装基板,内层棕化后、阻焊前和成品封装基板(表面处理为有机可焊性保护膜的成品除外)的离子污染度应不大于 1.0 mug/cm² (氯化钠当量),3 级用封装基板应不大于0.75 mug/cm² (氯化钠当量)。

5.6.2.1 伸长率

1级、2级用封装基板铜镀层的最小伸长率应不小于12%;3级用封装基板的铜镀层的最小伸长率应不小于18%。

5.6.2.2 抗拉强度

1级、2级用封装基板铜镀层的最小抗拉强度应不小于 2.5 ×10⁴ N/cm² 。3级用封装基板铜镀层抗拉强度应不小于 2.76×10⁴~N/cm²

按6.3.3试验后,阻焊膜和标记未出现起泡、剥离、粗糙、发黏、起皱、被溶解或变色等情形。

对板边连接器焊盘按6.3.4的要求进行24 h试验后,每个试样选择均匀分布的4个测试位置,根据GB/T 6461—2002的要求进行试样评级,除另有规定外,腐蚀评级应不小于8级

5.7 物理性能

蚀刻标记的附着力按5.7.2.2的要求,激光打穿阻焊露铜方式的标记附着力按5.7.2.1的要求,激光打穿阻焊后铜面镀覆镍金方式的标记附着力按5.7.2.2的要求,金面激光打黑方式的标记附着力按5.7.2.2的要求,激光不打穿阻焊的不露铜方式的标记附着力按5.7.3.1的要求。

5.7.2.1 铜镀层附着力

按6.4.2试验后,除镀层增宽、镀层突沿或镀屑外,应无部分导电图形或铜镀层保护层(镀层或涂层)从封装基板测试试样脱离的现象。3级用封装基板不允许有镀层突沿脱落

5.7.2.2 镍金和镍钯金镀层附着力

按6.4.2试验后,电镀镍金镀层、化学镀镍/浸金或化学镀镍/化学镀钯/浸金镀层不可有金层、钯层或镍层从封装基板测试试样脱离的现象

5.7.3.1 阻焊膜的附着力

按6.4.3.1的规定进行试验,交收态和热应力后的封装基板基材表面及铜表面的阻焊膜无分层、脱落。

5.7.3.2 阻焊膜的硬度

按6.4.3.2试验后,除另有规定外,阻焊膜的铅笔硬度应不低于3 H。

5.7.3.3 阻焊膜的固化度

按6.4.3.3试验后,除另有规定外,阻焊膜的热固化度和光固化度应为80%~100%

5.7.3.4 阻焊膜的接触角

按6.4.3.4试验后,除另有规定外,采用去离子水或 AR级乙二醇测量阻焊膜的接触角时,接触角应小于90°。

5.7.3.5 阻焊膜的表面能

按6.4.3.5试验后,除另有规定外,采用去离子水或 AR级乙二醇测量阻焊膜的表面能时,表面能应不小于30 mN/m,且不大于60 mN/m。

按6.4.4试验后,除另有规定外,按条交付的封装基板的翘曲高度应符合表20的规定,按单体交付的封装基板的翘曲高度应符合表21的规定,未预置焊球的晶片放置区的平整度应不大于30
μm
。

成品板厚	1级用封装基板	2级用封装基板	3级用封装基板
成品板厚≤1.0	2.5	2.0	1.5
成品板厚>1.0	2.0	1.5	1.0

成品边长	1级用封装基板	2级用封装基板	3级用封装基板
成品边长<29 mm	125 μm	100 μm	75 μm
29 mm≤成品边长≤45 mm	125 μm	125 μm	100 μm
成品边长>45 mm	150 μm	125 μm	100 μm

5.7.5.1 一般要求

化学镀镍浸金或化学镀镍镀钯浸金的镀层在可焊性测试后不应出现黑盘。按6.6.8一次无铅再流后,有机可焊性保护膜可焊性应满足5.7.5.2的要求。

5.7.5.2 表面可焊性

按6.4.5试验后,每个焊盘表面应至少有95%的面积润湿,允许出现小针孔、半润湿或麻点等轻微缺陷,但这些缺陷不应集中在一个区域,如图25所示。评估区域内不得出现不润湿和基材金属裸露等现象。采用仲裁方法试验后,每个焊盘表面应无缩锡,且至少有95%面积润湿

按6.4.6试验后,除另有规定外,覆箔层压的封装基板在试验后,铜箔经电镀到不小于35
μm 后,表面导体的最小剥离强度应不小于0.60 N/mm;通过在基材上真空溅射沉积铜或化学沉积铜工艺(均可通过电镀加厚)形成的厚度不小于35
μm 的表面导体的最小剥离强度应符合采购文件的规定,或由供需双方商定。

5.7.7.1 金属丝键合拉力

按6.4.7.1规定试验后,除另有规定外,键合拉力应符合表22的规定。拉力测试后有5种失效模式断开位置(如图26所示),金属间化合物处断开(A)、在球颈处断开(B)、在引线的其他位置断开(C)、在引线的颈缩点处断开(D)、焊盘上断开后无残留金(E),其中 A 和 E 这两种模式不应接收。

金丝直径/μm	最小键合拉力/gf	金丝直径/μm	最小键合拉力/gf
25.4	3.0	17.8	2.0
20.3	2.5	15.2	1.5

5.7.7.2 金属丝键合剪切力

按6.4.7.2规定试验后,除另有规定外,第一键合点在封装基板焊盘上的金属丝键合的剪切力应符合表23的规定。

直径/μm	最小均值/gf	单个剪切力最小/gf	直径/μm	最小均值/gf	单个剪切力最小/gf
50.8	12.6	5.7	91.4	46.2	34.1
53.3	14.0	6.8	94.0	49.1	36.5
55.9	15.5	8.1	96.5	52.1	39.1
58.4	17.1	9.5	99.1	55.2	41.7
61.0	18.8	10.9	101.6	58.3	44.3
63.5	20.6	12.4	104.1	61.6	47.1
66.0	22.4	14.0	106.7	65.0	50.0
68.6	24.4	15.6	109.2	68.4	52.9
71.1	26.5	17.4	111.8	71.9	55.8
73.7	28.6	19.2	114.3	75.6	59.0
76.2	30.8	21.1	116.8	79.3	62.1
78.7	33.2	23.1	119.4	83.1	65.3
81.3	35.6	25.1	121.9	87.0	68.6
83.8	38.1	27.2	124.5	91.0	72.0
86.4	40.7	29.4	127.0	95.1	75.5
88.9	43.4	31.7	—	—	—

5.7.8.1 焊球剪切力

按6.4.8.1规定进行试验时,封装基板焊盘上的预置焊球(焊球直径∶焊盘直径=1~1.2)的剪切力应符合表24的规定。试验后,失效模式中如表25,失效模式1和失效模式2可接收,失效模式3和失效模式4不应接收。

焊盘直径/μm	剪切力或拉力/gf	焊盘直径/μm	剪切力或拉力/gf
0.23	133	0.45	510
0.25	150	0.48	579
0.28	197	0.53	706
0.30	230	0.58	845
0.33	274	0.63	998
0.35	310	0.68	1 162
0.38	363	0.73	1 339
0.40	410	0.78	1 529
0.43	465	—	—

模式	类型	子类型	描述
1	韧性断裂	A型:韧性断裂	在阻焊表面处或其上的焊球内部断裂
		B型:准韧性断裂	韧性/脆性混合断裂,主要失效模式(>50%面积)为韧性断裂
2	焊盘剥离	A型:焊盘与基材分离	焊盘和焊球一起抬起,焊盘与基材分离
		B型:焊盘坑裂	焊盘和焊球一起抬起,抬起的焊盘上有破裂的基材
3	焊球脱落	不润湿	焊球从焊盘上抬起,焊盘表面的全部镀层暴露
4	界面断裂	A型:脆性断裂	断裂发生在焊料/金属间化合物界面或金属间化合物/基底金属界面
		B型:准脆性断裂	韧性/脆性混合断裂,主要失效模式(>50%面积)为脆性断裂

5.7.8.2 焊球拉脱强度

封装基板焊盘上的预置焊球按6.4.8.2规定试验时,最小焊球拉脱力应符合表24的规定。试验后,表26失效模式中,失效模式1和失效模式2可接收,失效模式3和失效模式4不应接收。试验时,若焊球拉伸但未断裂,则试验无效,在适当调整后,用更换的焊球样品重新测试

模式	类型	子类型	描述
1	韧性断裂	A型:韧性断裂	在阻焊表面处或其上的焊球内部断裂
		B型:准韧性断裂	韧性/脆性混合断裂,主要失效模式(>50%面积)为韧性断裂
2	焊盘剥离	A型:焊盘与基材分离	焊盘和焊球一起抬起,焊盘与基材分离
		B型:焊盘坑裂	焊盘和焊球一起抬起,抬起的焊盘上有破裂的基材
3	焊球脱落	不润湿	焊球从焊盘上抬起,焊盘上表面的全部镀层暴露
4	界面断裂	A型:脆性断裂	断裂发生在焊料/金属间化合物界面或金属间化合物/基底金属界面
		B型:准脆性断裂	韧性/脆性混合断裂,主要失效模式(>50%面积)为脆性断裂

5.8 电气性能

按6.5.1规定检验时,除另有规定外,封装基板所有导线网络电阻应不大于20 Ω。

按6.5.2规定检验时,相互隔离的导电图形之间的绝缘电阻应符合采购文件的规定,除另有规定外,封装基板的绝缘电阻应大于20 MΩ。

按6.5.3规定检验时,四线四端子互连电阻值应符合采购文件或布设总图的规定。

按6.5.4规定检验时,特性阻抗的最小值、最大值和平均值都应符合布设总图的规定。

按6.5.5规定检验时,封装基板的插入损耗在指定频点处都应满足采购文件或布设总图的要求当插入损耗附连测试板与板内走线的插入损耗测试结果存在差异时,以板内走线的测试结果为准

5.9 环境性能

按6.6.1规定试验后,封装基板或附连测试板应满足以下要求:

a) 按6.1.1的规定检验试样外观,满足5.4.1.1、5.4.1.2.1、5.4.1.3.1、5.4.1.3.3、5.4.5.1和5.5.11的要求,阻焊膜和导电图形镀涂层的变色应满足供需双方的商定;
b) 按6.5.1和6.5.2的规定进行连通性和绝缘性检验,无新增的连通性和绝缘性失效;
c) 按6.1.2.7规定进行超声波检验,满足5.5.8的要求;
d) 按6.2.1规定进行显微剖切和检验(需要继续进行其他环境性能检验的样品除外),满足5.5 3.4、5.5.3.5、5.5.3.6、5.5.3.7、5.5.6.5、5.5.8和5.5.9的要求。

按6.6.2规定试验后,封装基板试样应满足以下要求:

a) 按6.1.1规定检验封装基板试样外观,满足5.4.1.1、5.4.1.2.1、5.4.1.3.1、5.4.1.3.3、5.4.5.1和5.5.11的要求;
b) 按6.2.1规定进行显微剖切和检验,满足5.5.3.4、5.5.3.5、5.5.3.6、5.5.3.7、5.5.6.5、5.5.8、5.5.9和5.5.11的要求。

先按6.6.1规定对封装基板或附连测试板试样做预处理,恢复后,再按6.6.3规定试验,除另有规定外,经受500次温度循环,第一次和最后一次高温下测量的电阻变化率应不大于10%。试验后还应满足以下要求:

a) 按6.1.1规定外观检验,满足5.4.1.1、5.4.1.2.1、5.4.1.3.1、5.4.1.3.3、5.4.5.1和5.5.11的要求;
b) 按6.5.1和6.5.2的规定进行连通性和绝缘性检验,无新增的连通性和绝缘性失效;
c) 按6.1.2.7规定超声波检验,满足5.5.8的要求;
d) 按6.2.1规定显微剖切和检验,满足5.5.3.4、5.5.3.5、5.5.3.6、5.5.3.7、5.5.6.5、5.5.8、5.5.9和5.5.11的要求。

先按6.6.1规定对封装基板或附连测试板试样做预处理试验,恢复后,再按6.6.4规定试验,试验后应满足以下要求:

a) 按6.1.1规定外观检验,满足5.4.1.1、5.4.1.2.1、5.4.1.3.1、5.4.1.3.3、5.4.5.1和5.5.11的要求;
b) 按6.5.1和6.5.2的规定进行连通性和绝缘性检验,无新增的连通性和绝缘性失效;
c) 按6.1.2.7规定进行超声波检验,满足5.5.8的要求;
d) 按6.2.1规定显微剖切和检验,满足5.5.3.4、5.5.3.5、5.5.3.6、5.5.3.7、5.5.6.5、5.5.8、5.5.9和5.5.11的要求。

按6.6.1规定预处理试验后,恢复后,对封装基板的附连测试板按布设总图或采购文件要求的电压,按6.6.5规定测试,未明确规定电压时,可由供需双方根据导体图形的最小间距在3 V~10 V 间商定,试验后应满足以下要求:

a) 按6.1.1规定进行外观检验,满足5.4.1.1、5.4.1.2.1、5.4.1.3.1、5.4.1.3.3、5.4.5.1和5.5.11的要求,无线路间铜迁移等;
b) 在2 h~48 h内测试绝缘电阻,绝缘电阻不小于1 MΩ;
c) 按6.1.2.7规定进行超声波检验,满足5.5.8的要求;
d) 按6.2.1规定进行显微剖切和检验,满足5.5.3.4、5.5.3.5、5.5.3.6、5.5.3.7、5.5.6.5、5.5.8、5.5.9和5.5.11的要求,无线路间铜迁移等

除另有规定外,按6.6.6规定试验后,封装基板试样应满足以下要求:

a) 按6.1.1规定进行外观检验,满足5.4.1.1、5.4.1.2.1、5.4.1.3.1、5.4.1.3.3、5.4.5.1和5.5.11的要求,阻焊膜和导电图形镀涂层的变色满足供需双方的商定;
b) 按6.5.1和6.5.2规定进行连通性和绝缘性检验,无新增的连通性和绝缘性失效;
c) 按6.1.2.7规定进行超声波检验,满足5.5.8的要求;
d) 按6.2.1规定进行显微剖切和检验,满足5.5.3.4、5.5.3.5、5.5.3.6、5.5.3.7、5.5.6.5、5.5.8、5.5.9和5.5.11的要求。

对耐离子迁移附连测试板按6.6.7的规定试验后,除另有规定外,按以下要求判定:

a) 96 h静置后绝缘电阻 R 1 ≤10 MΩ,即判定样本失效;
b) 最终测试绝缘电阻 R2<100 MΩ,或者在测试过程中有记录到3次或以上 R2<100 MΩ,即判定样本失效。

除另有规定外,对1级、2级用封装基板按6.6.8规定做6次无铅再流,对3级用封装基板按6.6.8规定做9次无铅再流后,应满足以下要求:

a) 按6.1.1规定进行外观检验,满足5.4.1.1、5.4.1.2.1、5.4.1.3.1、5.4.1.3.3、5.4.5.1和5.5.11的要求,阻焊膜和导电图形镀涂层的变色符合供需双方的商定;
b) 检验测试前后的互连电阻,电阻变化率小于10%;
c) 按6.1.2.7规定进行超声波检验,满足5.5.8的要求;
d) 按6.2.1规定进行显微剖切和检验,满足5.5.3.4、5.5.3.5、5.5.3.6、5.5.3.7、5.5.6.5、5.5.8、5.5.9和5.5.11的要求。

先按6.6.1规定对封装基板或附连测试板试样做预处理,恢复后,再按6.6.9规定试验,除另有规定外,500次温度循环,第一次和最后一次高温下测量的电阻变化率应不大于10%。试验后还应满足以下要求:

a) 按6.1.1规定外观检验,满足5.4.1.1、5.4.1.2.1、5.4.1.3.1、5.4.1.3.3、5.4.5.1和5.5.11的要求;
b) 按6.5.1和6.5.2的规定进行连通性和绝缘性检验,无新增的连通性和绝缘性失效;
c) 按6.2.2规定超声波检验,满足5.5.8的要求;
d) 按6.2.1规定显微剖切和检验,满足5.5.3.4、5.5.3.5、5.5.3.6、5.5.3.7、5.5.6.5、5.5.8、5.5.9和5.5.11的要求。

5.10 其他要求

产品状态信息文档是将一条基板上合格单元与不合格单元的数量及位置信息通过字符展现排列出来的文本文档,封装基板条的产品状态信息文档的提供、内容及格式应由供需双方商定。封装基板生产商提供给采购方的产品状态信息文档,至少应满足以下要求:

a) 文档名称应与条的唯一识别编码一致,一个文档代表一条封装基板的以下基本信息:封装基板加工的批次信息、在制板编码信息、条编码信息、采购方产品编码信息、合格单元和不合格单元位置的坐标信息;
b) 产品状态信息文档中的数据信息应与封装基板实物板的信息一致;
c) 产品状态信息文档中数据的起始原点及方向符合供需双方的商定。

除另有规定外,按条交付的1级、2级金属丝键合封装用封装基板中允许的不合格单元应不超过条中单体总数量的30%,3级应不超过20%。按拼版交付的倒装芯片封装用封装基板中允许的不合格单元数量由供需双方商定。

6 检验方法

6.1 外观和尺寸

6.1.1.1 目检

应按SJ 21091—2016中4.4对封装基板的基材、标记、导电图形、导体宽度和间距、阻焊膜、预置焊球、非支撑孔和非支撑槽进行目检。若在常规10倍~15倍放大倍率下无法确定缺陷,可采用更大放大倍率的放大镜,具体放大倍率由供需双方商定。除另有规定外,仲裁检验应在30倍放大倍率下进行

6.1.1.2 自动光学检查或自动成品外观检验

可采用自动光学检查设备或自动外观检查设备对封装基板的基材、标记、导电图形、导体宽度和间距、阻焊膜、预置焊球、非支撑孔和非支撑槽进行检验如果每个成品单元/条内的信号线通过设计或基板制造工艺的电镀引线连接在一起,则连通性和绝缘性应通过自动光学检查设备和/或自动成品外观检查设备检验。

6.1.2.1 一般方法

应按SJ 21091—2016中5.4对封装基板的导体图形位置度、孔位置度、镀覆孔和非支撑孔尺寸、非支撑槽尺寸、阻焊开窗尺寸公差、板厚、外形尺寸、外层导体宽度和间距等进行尺寸检验。当有精准尺寸要求时,应采用满足精度要求的测量工具,如带十字标识线和刻度的光学仪器、金相显微镜、立体显微镜或采用3D测量仪编程进行自动化测量等。

6.1.2.2 板厚

封装基板的全板厚度应使用精度至少为0.005 mm 的千分尺、板厚测量仪进行检验。有板边连接器的板厚测量应从连接器部位的最终镀涂层表面到反面的最终镀涂层表面。无板边连接器的板厚测量位置应按采购文件或布设总图的要求选择,取单体内封装基板四角和中心位置至少五点的测量结果平均值作为封装基板全板厚度。无明确要求时,应从正面导体图形上的阻焊层到背面导体图形上的阻焊层。

6.1.2.3 金属丝键合连接盘表面粗糙度

应按 GB/T 29505—2013中的光学方法测量。

6.1.2.4 镍、钯、金和锡镀层厚度

应按 GB/T 16921—2005的方法对封装基板的镍、钯、金和锡镀层厚度进行检验。

6.1.2.5 阻焊膜的凹陷和凸起

阻焊膜的凹陷和凸起可采用白光干涉原理的量测设备进行检验。

6.1.2.6 阻焊膜的高度差

阻焊膜的高度差可采用白光干涉原理的量测设备进行检验。

6.1.2.7 导体图形表面高度差

导体图形表面高度差可采用白光干涉原理的量测设备进行检验。

6.1.2.8 焊球共面性

应按 GB/T 35005—2018中4.1的规定对封装基板上的预置焊球进行共面性检验。

6.1.2.9 焊球空洞

应按 GB/T 19247.6—2024的规定对封装基板正面或背面上的预置焊球进行检验并计算焊球空洞的面积比例。

6.1.2.10 基材分层、裂缝和空洞的超声波检验

按 GB/T 34018—2017规定的方法,采用一定深度或关注界面的面扫描模式(C-扫描)进行检验,或按 GB/T 39241—2020规定的方法,采用穿过整个试样的面扫描模式(T-扫描)进行检验,具体由供需双方商定;保存上述扫描图像并对图像进行分析。

6.2 结构完整性

6.2.1.1 显微剖切准备

应按 GB/T 4677—2002中8.3.2的规定进行显微剖切准备:

a) 试样的孔应包括在制板上最小孔径的孔;
b) 每个试样至少应包括3个镀覆孔或微导通孔,每个孔的每一侧应单独检验,每个堆叠微导通孔的底部都应单独检验;
c) 每个试样经研磨和抛光,使观察面在孔中心位置偏差±10%的范围内;
d) 试样的镀层分离、微导通孔与目标连接盘间的微空洞、结瘤和芯吸的评定应在微蚀前进行;
e) 微导通孔与目标连接盘间的微空洞应在抛光后再进行1 h以上超声波清洗后进行;
f) 如果一个灌模内有两个以上的试样,则试样之间不应相互接触,并至少保持0.25 mm 的距离;
g) 如果在垂直显微剖面上发现或怀疑有树脂钻污,应在水平方向作仲裁显微剖切。

6.2.1.2 显微剖切检验

应按 GB/T 4677—2002中8.3.2的规定进行显微剖切后检验,除另有规定外,切片应从板中心和边缘处截取,包括介质层厚度、镀涂层厚度、导电图形厚度等的测量以及镀覆孔、微导通孔质量的评定,以及基材分层、裂缝和空洞的显微剖切检验。如果一个试样中有3个以上的镀覆孔或微导通孔,则所有孔都应进行评定,符合以下规定

a) 除另有规定外,试样应在200倍的放大倍率下检验,仲裁检验应在500倍的放大倍率下进行;
b) 试样中所有层间的介质层厚度和导电图形厚度都应检验,层间的介质层厚度检验取样时,有阻抗要求的,选择阻抗线位置,无阻抗要求的,选择有导体的位置;
c) 非镀铜填塞镀覆孔内镀层厚度应在每个剖面的两侧上、中、下3处分别测量并取平均值,离散的厚度值不应用来取平均值,但应测量最薄处的铜镀层厚度;
d) 镀层厚度小于1.25 μm 时,不应采用显微剖切方法测量,应采用6.1.2.6的方法(X-荧光镀层测厚仪)测量;
e) 电镀填充的镀覆孔(如 X型孔)、微导通孔在微蚀后用200倍的放大倍率检验,或者用3D 显微镜测量凹陷深度或高度;
f) 阻焊或树脂填充的镀覆孔的检验应在有阻焊或树脂填充的镀覆孔处取样,包覆铜和盖覆铜厚度的检验应在有树脂填充的镀覆孔处取样;
g) 导体图形表面高度差的检验应在封装基板上不同区域的导电图形处取样;
h) 除另有规定外,阻焊膜厚度和阻焊膜高度差的切片取样位置应包含导线上、大铜面上、焊盘上、基材上和有阻焊塞孔处的阻焊膜;
i) 阻焊膜吸管状浮空应在外层导线处取样检验;
j) 阻焊膜侧蚀和残足应分别在阻焊限定焊盘和非阻焊限定焊盘处取样检验。

按6.2.1的方法检验。当存在作为设计文件内容的重合度附连测试板时,应按布设总图的规定进行评定;没有重合度附连测试板时,可用封装基板的内层环宽来评定,并应制作至少两个显微剖切切片,一个沿在制板的长度(X)方向,另一个沿在制板的宽度(Y)方向

按 GB/T 17359—2023的方法检验,对试样待检验位置显微剖切后使用能谱法进行定量分析。

按6.2.1的方法检验;除另有规定外,内层孔环的测量应从钻孔的内侧到连接盘的边缘。

如在垂直剖切样品中发现内层孔环有破环,但是不能确定破环的程度,需要通过不同方向的显微切片比较来判断破环后导体宽度的最小值和最小内层环宽。

按6.2.1的方法检验;除另有规定外,有板边连接器的切片位置应选择正面和背面都有板边接器的部位,无板边连接器的切片位置应按采购文件或布设总图的规定;无明确要求时,应从正面有导电图形的阻焊层到背面有导电图形的阻焊层。本方法为板厚检验的仲裁方法

6.3 化学性能

按 GB/T 4677—2002中第10章规定的方法或其他等效方法进行检验。当采用其他等效方法进行检验时,应规定仪器的准确度、测量试样的溶剂萃取液的电阻率或单位面积上氯化钠的当量。

对样品用125 ℃烘烤4 h~6 h进行预处理,恢复后,按 GB/T 29847—2025中7.1的规定在室温下进行试验,且符合下列规定:

a) 样品的厚度为 0.05 mm~0.10 mm;
b) 样品数量为10条(5条纵向,5条横向);
c) 拉伸速率为50 mm/min;
d) 试验机夹头距离为50 mm。

应按 GB/T 4677—2002中8.5规定的方法进行试验。

应按 GB/T 2423.17封装基板进行盐雾试验,除另有规定外,试验时间为24 h。

6.4 物理性能

应按 GB/T 4677—2002中8.1.1的规定进行试验。试验后,应按5.4.2对试样的标识清晰度进行检查。

应按 GB/T 4677—2002中8.1.1的规定进行检验。当有板边连接器时,接触片上应至少检验一次,且每次检验应使用新的胶带。如果只是金属镀层突沿脱落并粘附在胶带上(见5.7.2.1),则不是镀层附着力失效。

6.4.3.1 阻焊膜的附着力

应按SJ/T 10309—2016中6.6.6的方法进行,样品检验前分无预处理和按6.6.9的规定做5次无铅再流预处理。

6.4.3.2 阻焊膜的硬度

应按 GB/T 6739—2022的规定进行检验。

6.4.3.3 阻焊膜的固化度

参照 GB/T 6040—2019的规定,采用傅里叶变换红外光谱仪对阻焊膜的固化度按以下步骤进行检验。

a) 从封装基板上刮下阻焊膜样品,并注意样品中不应混入封装基板基材等其他有机物,样品分为预固化样品为终固化样品,预固化样品制作完成后需放置在不透光包装袋里,以消除光对油墨光固化的影响。
b) 将分析纯溴化钾研磨均匀并在125 ℃~150 ℃烘烤3 h以上,然后放入密封袋中备用,非立即使用时应取出再烘烤1 h以上。
c) 将阻焊膜样品与上述分析纯溴化钾按 (1.0~1.5):100 混合,沿同一方向研磨至目视无颗粒。
d) 取上述混合样品 150 mg~200 mg 用压片装置压制出厚度 0.4 mm~0.5 mm 的样品,样品应无白斑,裂纹,云雾状等。
e) 使用傅里叶变换红外光谱仪测试预固化样品的光吸收峰高 H_{ref,光反应} 和热吸收峰高 H_{ref,热反应} ,以及不参与反应的填料的光吸收峰高 H_ref,填料 作为空白对照组。
f) 使用傅里叶变换红外光谱仪测试固化样品的光吸收峰高 H_a,光反应 和热吸收峰高 H_a,热反应 ,以及不参与反应物质的光吸收峰高 H_a,填料
g) 阻焊膜的热固化度按公式(1)进行计算:

阻焊膜的热固化度 =1 - (H_a,热反应 timesH_ref,填料)/(H_{ref,热反应} timesH_a,填料)(1)

式中:

H_a,热反应 固化样品的热吸收峰高,无量纲;

H_a,填料 固化样品中填料的吸收峰高,无量纲;

H_{ref,热反应} 预固化样品的热吸收峰高,无量纲;

H_ref,填料 预固化样品中填料的吸收峰高,无量纲。

h) 阻焊膜的光固化度按公式(2)进行计算:

阻焊膜的光固化度 =1 - (H_a,光反应 timesH_ref,填料)/(H_{ref,光反应} timesH_a,填料)(2)

式中:

H_a,光反应 固化样品的光吸收峰高,无量纲;

H_a,填料 固化样品中填料的吸收峰高,无量纲;

H_{ref,光反应} 预固化样品的光吸收峰高,无量纲;

H_ref,填料 预固化样品中填料的吸收峰高,无量纲。

6.4.3.4 阻焊膜的接触角

应按 GB/T 30693—2014的规定进行检验。

6.4.3.5 阻焊的表面能

应按 GB/T 30693—2014的规定进行检验。

6.4.4.1 整体翘曲

6.4.4.1.1 方法Ⅰ(塞规法)

除另有规定外,应按以下规定对封装基板成品的整体翘曲进行检验。将封装基板试样正面朝上放于平台上,选择合适的塞尺或针规从试样与平台之间最大空隙处滑动塞入,然后逐步增加塞尺或针规的尺寸,直到获得试样能够塞入的最大塞尺或针规尺寸;重复上述操作,分别获取长度方向和宽度方向能够塞入的最大塞尺或针规尺寸(弓曲时),取较大值,即为翘曲高度(H),如图27所示;或分别获取翘起的两个角能够塞入的最大塞尺或针规尺寸(扭曲时),取较大值,即为翘曲高度(H),如图28所示

标引符号说明:

———翘曲高度。

标引符号说明:

———翘曲高度。

图 28 扭曲测量示意图

6.4.4.1.2 方法Ⅱ

封装基板成品的整体翘曲可采用自动光学翘曲测量设备(如带激光测距功能的设备)进行检验。

6.4.4.1.3 仲裁方法

方法Ⅰ(塞规法)为仲裁方法。

6.4.4.2 局部平整度

未预置焊料的晶片放置区的局部平整度可采用白光干涉原理的量测设备进行检验,具体方法可由供需双方商定。

应按SJ 21093—2016中第7章的规定进行检验。进行表面可焊性试验时,先将试样浸入配制好的助焊剂中停留5 s~10 s,再将试样取出垂直滴流60 s,并将助焊剂吸干,在吸干助焊剂后5 min之内进行试样焊接,在一次焊接后取出试样,冷却后观察焊料对镀层的表面润湿状态使用其他合金焊料或方法进行可焊性检验时,应由供需双方商定。

仲裁试验按以下步骤进行:

a) 按6.6.8中的无铅再流曲线预处理再流一次;
b) 采用钢网印刷或预植供需双方商定的焊膏,按6.6.8无铅再流曲线再流一次;
c) 冷却后观察焊料对镀层的表面润湿状态。

应按 GB/T 4677—2002中7.1.1的规定进行检验。检验前应采用化学方法退除铜导体表面其他电镀金属抗蚀层,或制造过程中的沉积金属层,试样上不应有任何有机涂层,导线长度应不小于50.0 mm,宽度为3.2 mm,铜厚应不小于35
μm
。

6.4.7.1 金属丝键合拉力

应按 GB/T 4937.22—2018中的方法C进行测试,抽样数量应不少于20个键合点,试验后用100倍的倍率进行失效点的检验。

6.4.7.2 金属丝键合剪切力

应按 GB/T 4937.22—2018中的方法 G 进行测试,抽样数量应不少于20个键合点。

6.4.8.1 焊球剪切力

应按 GB/T 35005—2018中4.2的规定对直径不大于80
μm 的焊球进行检验,对直径大于80
μm
的焊接的检验方法应按采购文件的要求或供需双方的商定,抽样数量应不少于30个球。测试图形选择圆形焊盘,且尽量没有导线连接的焊盘;如单体单元内没有符合要求的焊盘,则在附连测试板上添加测试焊盘。

焊球应植在焊盘矩阵排列的对角线位置并保证最近的球心距不小于2 mm。除另有规定外,植球后按6.6.8规定的无铅再流曲线再流一次,清洁完助焊剂后进行推球测试,再流焊后的停留时间应不大于4 h。

6.4.8.2 焊球拉脱强度

除另有规定外,植球后按6.6.8规定的无铅再流曲线再流一次,清洁完助焊剂后进行拉脱测试,再流焊后的停留时间应不大于4 h,抽样数量应不少于30个球,多个样品时,应在相同的焊球位置上进行,测试位置最好在样品靠近中心的位置,按以下步骤进行测试:

a) 使用工具,如锋利的刀片,去除待测试焊球邻近的焊球。在邻近的焊球去除后,去除焊球后的残留物高度也应足够低,以保证拉力爪在拉脱试验前、定位时和行进过程中不会碰触到这些焊球残留物;

b) 拉力速度按采购文件的要求或供需双方的商定,在低拉力速度(0.1 mm/s~15 mm/s)和高拉力速度(50 mm/s~1000 mm/s)中选择;
c) 选择并安装和焊球直径相匹配的拉力爪,并在试验设备上夹住受试样品,以使焊球可在垂直于样品表面的方向上被拉起;
d) 记录峰值拉力和表25所描述的失效模式。

6.5 电气性能

应按 GB/T 4677—2002中6.2.2的规定进行检验。在每个网络的终端施加电流,使电流通过每个网络。通过导线的电流不应超过布设总图中对最细导线规定的额定电流。除另有规定外,设定的连通电阻应不大于20 Ω。

应按 GB/T 4677—2002中6.2.1的规定进行检验。在每个网络和所有相邻的其他网络之间施加测试电 压,测试同一层的电路绝缘性。在每层网络和每个相邻层的电气隔离网络间施加电压,测试相邻层的电路绝缘性。当使用自动测试设备时,最小的测试电压应符合布设总图的规定,若无规定,应按相邻网络之间的最大额定直流电压进行测试,设定直流测试电压为50 V~200 V,绝缘电阻设定应不小于20 MΩ,压降的设定应不大于10 V。

应按SJ 21092—2016中4.3的规定采用四线四端子接线测试系统对在制板进行检验,测试应覆盖布设总图中要求的所有镀覆孔(含微导通孔)。

特性阻抗测试应在具有阻抗图形的附连测试板或在成品封装基板布设总图中指定的电路上进行,采用测量精度不低于5%的时域反射计,按SJ 21092—2016中第9章的规定进行检验。

插入损耗测试应在具有插入损耗图形的附连测试板或在成品封装基板板布设总图中指定的电路上进行,应按SJ 21555—2020的规定进行检验,测试频率应覆盖布设总图或采购文件中的每个指定频点

6.6 环境性能

按 GB/T 4937.30—2018的要求,封装基板或附连测试板试样的试验条件按以下要求执行,其中试验条件 A 用于无偏置高加速温湿测试、高加速温湿测试和温度冲击试验等可靠性试验的预处理,也可用于可靠性快速激发,试验条件 B用于可靠性快速激发和极限测试

试验条件 A 及步骤如下:

a) 将试样在125 ℃下烘烤24 h;
b) 将试样在温度30 ℃、相对湿度60%下放置192 h(MSL3);
c) 将试样按6.6.8曲线无铅再流3次。

其中步骤b)可选用等效加速条件:温度60 ℃、相对湿度60%下放置52 h替代。

试验条件 B及步骤如下:

a) 将试样在125 ℃下烘烤24 h;
b) 将试样在温度60 ℃、相对湿度60%下放置120 h(MSL2a);
c) 将试样按6.6.9曲线无铅再流3次。

应按 GB/T 4677—2002中9.2.3的规定进行检验。样品可选择封装基板或孔链附连测试板。试验前应将试样在120 ℃±5 ℃条件下烘干处理6 h,然后将试样放在干燥器的陶瓷平板上冷却至室温,取出后及时涂上弱活性化松香 (RMA)型助焊剂,在 288 ℃ ±5 ℃ 的 HLSn60Pb(或 HLSn62Pb、或HLSn63Pb)熔融焊料中保持10 s~11 s,试样的背面与焊料液位于同一平面,焊后把试样放在绝缘板上冷却至室温,然后涂上 RMA 型助焊剂,在相同的条件下再重复进行2次测试,检验外观,然后检验结构完整性。

应按 GB/T 2423.22—2012的规定对封装基板样品按以下要求进行试验,测试完成后检验外观和结构完整性:

a) 按6.6.1试验条件 A 对试样进行预处理;
b) 除另有规定外,试验条件为:温度为-55℃~+125℃,在-55℃下保持时间不少于5 min、在125 ℃下保持时间不少于5 min,转换时间不大于1 min。

应按 GB/T 4937.4—2012对封装基板样品或附连测试板(优先选择)按以下要求进行测试:

a) 按6.6.1试验条件 A 对试样进行预处理;
b) 在温度为130 ℃,相对湿度为85%和压力为230 kPa下进行测试;
c) 测试时间为96 h。

应按 GB/T 4937.4—2012对梳状线路附连测试板按以下要求进行测试:

a) 按6.6.1试验条件 A 对试样进行预处理;
b) 在温度为130 ℃,相对湿度为85%和蒸汽压为230 kPa下进行测试;
c) 按封装基板布设总图中的最大偏置电压要求施加直流电压,或由供需双方根据导体图形的最小间距在3 V~10 V 商定施加的直流电压;
d) 测试时间为96 h。

样品应在150 ℃环境下放置1000 h。

对耐离子迁移附连测试板按6.6.8进行预处理,然后按SJ 21193的规定对附连测试板进行测试,测试应包含封装基板布设总图中最小的孔壁间距。测试电压按采购文件的要求,或由供需双方的商定。96 h预处理后测试并记录绝缘电阻,记为 R₁ ,在线测试并记录的绝缘电阻记为 R₂

对封装基板样品或孔链附连测试板使用无铅再流预处理,其无铅再流设定参数见表27

液相线以上时间	板面峰温	高温段停留时间
≥217°C, 90 s ∼150 s	260°C ±5°C	≥255°C, 20 s ∼30 s

应按 GB/T 2423.22—2012试验 Nb的规定对封装基板样品按以下要求进行测试,测试完成后检验外观和结构完整性:

a) 按6.6.1试验条件 A 对试样进行预处理;
b) 除另有规定外,试验条件为:温度为-55 ℃~+125 ℃,在-55 ℃下保持时间不少于5 min、在125 ℃下保持时间不少于5 min,温变速率10 ℃/min~14 ℃/min。

7 质量保证规定

7.1 检验分类

检验分类如下:

a) 鉴定检验(见 7.3);
b) 质量一致性检验(见 7.4):

1) 逐批检验(见 7.4.1);
2) 周期检验(见 7.4.2)。

7.2 检验条件

除另有规定外,应在下列大气条件下进行检验:

a) 温度:15 ℃~35 ℃;
b) 相对湿度:45%~75%;
c) 气压:86 kPa~106 kPa。

7.3 鉴定检验

鉴定检验应在认可的实验室进行,鉴定检验试样应采用生产中通常使用的材料、设备和工艺制作。除另有规定外,鉴定检验应符合 GB/T 16261和本文件的规定。

鉴定检验项目见表28。

检验项目		要求章条号	试验方法章条号
外观和尺寸	外观、尺寸	5.4	6.1
结构完整性	显微剖切检验	5.5	6.2
化学性能	清洁度	5.6.1	6.3.1
	铜镀层特性	5.6.2	6.3.2
	耐溶剂性	5.6.3	6.3.3
	抗盐雾腐蚀a	5.6.4	6.3.4
物理性能	标记附着力	5.7.1	6.4.1
	金属镀涂层附着力	5.7.2	6.4.2
	阻焊膜的物理性能	5.7.3	6.4.3
	翘曲	5.7.4	6.4.4
	表面可焊性	5.7.5	6.4.5
	表面剥离强度	5.7.6	6.4.6
	金属丝键合拉力b	5.7.7.1	6.4.7.1
	金属丝键合剪切力b	5.7.7.2	6.4.7.2
	焊球剪切力c	5.7.8.1	6.4.8.1
	焊球拉脱强度c	5.7.8.2	6.4.8.2
电气性能	连通性	5.8.1	6.5.1
	绝缘性	5.8.2	6.5.2
	互连电阻	5.8.3	6.5.3
	特性阻抗d	5.8.4	6.5.4
	插入损耗e	5.8.5	6.5.5
环境性能	试验前预处理	5.9.1	6.6.1
	热应力	5.9.2	6.6.2
	温度冲击f	5.9.3	6.6.3
	无偏置高加速温湿g	5.9.4	6.6.4
	高加速温湿g	5.9.5	6.6.5
	高温存储	5.9.6	6.6.6
	耐离子迁移	5.9.7	6.6.7
	耐无铅再流	5.9.8	6.6.8
	温度循环f	5.9.9	6.6.9
a只在有板边连接器连接盘的封装基板上进行。b只在有金属丝键合的封装基板上进行。c只在有预置焊球的封装基板上进行。d只在有特性阻抗要求的封装基板上进行。e只在有插入损耗要求的封装基板上进行。f当采用温度冲击试验时,不必进行温度循环试验。g当采用高加速温湿试验时,不必进行无偏置高加速温湿试验。

清洁度检验应首先进行;环境性能检验中有预处理试验要求的,应先做预处理试验;有无铅再流预处理要求的,应先做耐无铅再流试验;其他检验项目的顺序是任意的

7.3.4.1 鉴定检验试样

鉴定用试样应符合布设总图和采购文件的规定。

7.3.4.2 样品数量

接受鉴定检验的封装基板样品或附连测试板至少为6个,电镀铜样品10条,除另有规定外,样品应为同工艺、同设备、同批次生产,并符合5.4.2中标记的相关规定。

7.3.5.1 鉴定不合格

任何一个鉴定检验试样不符合本文件的规定应视为鉴定失效,且不能给予鉴定合格批准。

7.3.5.2 不合格样品处理

除另有规定外,不合格是由于设备或人为操作错误造成的,允许同一批次封装基板的样品或附加样品重新提交鉴定,并应通知鉴定机构。

若任一试样品没有通过检验,承制方应进行失效分析,并采取必要的纠正措施和工艺调整,直到新样品通过所有的试验和检验,应在进行调整和变更的同时通知鉴定机构。

7.3.6.1 保持要求

为了保持鉴定合格资格,承制方应按鉴定机构的要求提交鉴定合格产品的相关生产数据。若在12个月报告周期内没有进行生产,承制方应向鉴定机构证明其仍有生产和检验封装基板的能力,否则承制方应重新进行资格认证。

7.3.6.2 重新鉴定

从获得鉴定合格资格日期起满36个月,合格资格将失效。为了保持鉴定合格资格,承制方应在36个月的合格资格有效期内完成资格的重新鉴定。

7.4 质量一致性检验

7.4.1.1 检验项目

交收检验应采用 A 组检验,交收检验包括表29中规定的项目。

7.4.1.2 检验批

A 组检验批由使用相同材料、相同工艺、在相同条件下和相同时间内生产的,并一次提交检验的所有试样组成。

检验项目		要求章条号	试验方法章条号	试样g		抽样方案
				单面板	双面和多层板
外观和尺寸	外观、尺寸	5.4	6.1	PS	PS	外观按100%或按表29抽样方案
						尺寸按5条/批或5个单体/批
结构完整性	显微剖切检验	5.5	6.2	—	PS或T	见7.4.1.3a)
化学性能	清洁度	5.6.1	6.3.1	PS	PS	5条/批或5个单体/批
	抗盐雾腐蚀a	5.6.4	6.3.4	PS	PS	5条/批或5个单体/批
物理性能	标记附着力	5.7.1	6.4.1	PS	PS	5条/批或5个单体/批
	金属镀涂层附着力	5.7.2	6.4.2	PS	PS或T	5条/批或5个单体/批
	阻焊膜的物理性能	5.7.3	6.4.3	PS	PS或T	5条/批或5个单体/批
	翘曲	5.7.4	6.4.4	PS	PS	100%或按表29抽样方案
	表面可焊性	5.7.5	6.4.5	PS	PS	5条/批或5个单体/批
	金属丝键合拉力b	5.7.7.1	6.4.7.1	PS	PS	5条/批或5个单体/批
	焊球剪切力c	5.7.8.1	6.4.8.1	PS	PS	5条/批或5个单体/批
电气性能	连通性	5.8.1	6.5.1	PS	PS	100%或按表30抽样方案
	绝缘性	5.8.2	6.5.2	PS	PS	100%或按表30抽样方案
	互连电阻d	5.8.3	6.5.3	—	PS	100%或按表30抽样方案
	特性阻抗e	5.8.4	6.5.4	—	T	100%或按表30抽样方案
	插入损耗f	5.8.5	6.5.5	—	T	100%或按表30抽样方案
环境性能	热应力	5.9.2	6.6.2	—	PS或T	5条/批或5个单体/批,见7.4.1.3b)
	耐无铅再流	5.9.8	6.6.8	—	PS或T
a只在有板边连接器连接盘的产品上进行。b只在有金属丝键合的封装基板上进行。c只在有预置焊球的封装基板上进行。d只在有客户要求的情况下进行。e只在有特性阻抗要求的封装基板上进行。f只在有插入损耗要求的封装基板上进行。gPS指封装基板,T指附连测试板。

7.4.1.3 抽样方案

A 组检验的抽样方案应按表30的规定进行,接收质量限 AQL应符合采购文件的规定,或由供需双方商定,抽样还应满足下列要求:

a) 双面和多层封装基板交收态应取封装基板或附连测试板进行显微剖切检验,截面的方向应与热应力显微剖切的方向垂直;

b) 进行热应力和耐无铅再流试验的多层封装基板在试验后,每个试样需沿制板的长度(X)方向和宽度(Y)方向分别做显微剖切,双面封装基板的试验后,在一个方向显微剖切即可;
c) 多层封装基板通过内层环宽测量评定重合度时,应从封装基板试样或附连测试板上任取两个垂直面进行显微剖切,其中一个代表在制板的长度(X)方向,另一个代表在制板的宽度(Y)方向,也可使用交收态、热应力和耐无铅再流试验的附连测试样。

批量	接收质量限 AQLa
	0.10	0.15	0.25	0.40	0.65	1.0	1.5	2.5	4.0	6.5
1~8	b	b	b	b	b	b	b	(5)	(3)	(2)
9~15	b	b	b	b	b	(13)	8	5	3	2
16~25	b	b	b	b	(20)	13	8	5	5	3
26~50	b	b	b	(32)	20	13	8	7	7	5
51~90	b	(80)	(50)	32	20	13	12	11	7	6
91~150	(125)	80	50	32	20	13	12	11	9	7
151~280	125	80	50	32	29	20	19	13	11	8
281~500	125	80	50	48	47	29	21	17	12	10
501~1 200	125	80	75	73	47	34	27	19	15	12
1 201~3 200	125	120	116	73	53	42	31	24	17	14
3 201~10 000	192	189	116	86	68	50	38	29	23	16
10 000 以上	294	189	135	108	77	60	46	35	29	16
注:如果该批的数量小于抽样数,则检验整个批次,见表中的“b”,如果该批的数量大于抽样数,则检验抽样数为“()”中的数量。
a如果样本没有发现缺陷,整个批次都可接收。如果样本发现一个或更多缺陷,整个批次都不应接收。

7.4.1.4 合格判据

若试样全部符合规定,则判定该产品合格。如一个或多个试样不合格,则该批封装基板不应接收。

7.4.1.5 拒收批

若一个检验批被拒收,承制方可筛选出有缺陷的封装基板后重新提交检验。重新提交的批应加严检验,而且经筛选的批应作出明显的重检批标识。未通过 A 组检验、未通过重新检验的产品不能交付。

7.4.2.1 检验项目

周期检验应采用 B组检验,周期检验应包括表31中规定的检验项目。

检验项目		要求章条号	试验方法章条号	试样h	抽样方案	检验频度
化学性能	铜镀层伸长率a	5.6.2.1	6.3.2	T	互相垂直的2个方向各5条	1次/6个月
	铜镀层抗拉强度a	5.6.2.2	6.3.2	T		1次/6个月
	耐溶剂性	5.6.3	6.3.3	T	5条或5个单体	1次/6个月
	抗盐雾试验b	5.6.4	6.3.4	PS		1次/6个月
物理性能	表面剥离强度c	5.7.6	6.4.6	T	5个试样	1次/3个月
	金属丝键合剪切力	5.7.7.2	6.4.7.2	PS	77个单体	1次/3个月f
	焊球拉脱强度	5.7.8.2	6.4.8.2	PS	5个单体
环境性能d	预处理	5.9.1	6.6.1	PS或T	按条交付时,77个单体;按单体交付时,5个单体	1次/6个月f
	温度冲击g	5.9.3	6.6.3	PS或T
	温度循环g	5.9.9	6.6.9	PS或T
	无偏置高加速温湿测试e	5.9.4	6.6.4	PS或T
	高加速温湿测试e	5.9.5	6.6.5	PS或T
	高温存储	5.9.6	6.6.6	PS或T
	离子迁移	5.9.7	6.6.7	T
a铜镀层的特性在改变基材或工艺的情况下也应立即进行。b抗盐雾试验只在有板边连接器连接盘的产品上进行。c表面剥离强度应对每种粘结材料都进行测试。d环境性能的抽样方案优先按采购方要求。e当采用高加速温湿测试时,不必做无偏置高加速温湿测试。f对在检验周期内连续生产的每个产品型号都需进行检验。g当采用温度冲击测试时,不必做温度循环测试。hPS指封装基板,T指附连测试板。

7.4.2.2 抽样方案

应从通过 A 组检验的批次中随机抽取满足表29要求的最复杂的试样或附连测试版。除另有规定外,封装基板的复杂性取决于使用的材料、介质层厚度、层数、导线宽度和间距、图形的复杂性、孔的尺寸、孔的数量、孔的结构和位置,上述某项或全部的公差、制造难度等。

7.4.2.3 检验频度

周期检验在材料和工艺不变更的情况下应满足表 29 的要求,且应在鉴定机构认可的实验室进行,试样应在生产完成后30 d内提交检验。

7.4.2.4 合格判据

试样全部符合规定,则判定该试样 B组检验合格。如有一个或多个试样未通过 B组检验,则判定该试样失效。

7.4.2.5 失效处理

若试样未通过 B组检验,承制方应对按基本相同的材料和工艺生产的具有相同失效机理的产品采取纠正措施,然后重新进行 B组检验。对重新提交的试样进行全检或只检验失效项目,应由鉴定机构确定。B组重新检验未通过前,不应进行 A 组检验和产品交收。当 B组重新检验通过后,方可再进行A 组检验和产品交付。

如 B组检验失效所代表的该批产品已发货,承制方应立即将失效情况通知采购方。

8 标识

包装箱外应标注“怕雨”“易碎物品”“防静电”“RoHS”等标识,以及其他文字、条码或二维码标识,除另有规定外,至少应包含以下信息:

a) 采购方的产品编号和订单编号;
b) 生产商的名称和产品编号;
c) 产品的批次号;
d) 产品的生产日期;
e) 产品的数量;
f) 产品的贮存期。

9 包装

9.1 内包装

除另有规定外,封装基板的内包装满足以下要求:

a) 包装之前封装基板应按规定进行清洗,然后进行烘干/除湿处理,冷却至室温包装;
b) 包装时不应用裸手接触板面;
c) 封装基板应叠放包装,叠放的面次和放置方向应一致;
d) 每叠封装基板的上下应放置与封装基板尺寸一致的刚性无尘垫板材料;
e) 封装基板与垫板材料间应衬包装材料,封装基板间是否间隔包装材料由供需双方商定;
f) 需要时,可使用扎带固定封装基板;
g) 需要时,每块封装基板可使用一个托盘进行固定;
h) 每个封装基板内包装中至少应放置一袋干燥剂;
i) 每个封装基板内包装中应放置一张无钴、无硫湿度指示卡,指示卡至少应具有在相对湿度10%、30%和60%3种敏感度数值颜色的色点,指示卡色点面不应与封装基板直接接触;
j) 包装封装基板的材料、垫板、干燥剂和湿度指示卡本身不应对封装基板造成污染。

9.2 外包装

封装基板的外包装应能保护产品免受震动和物理损坏,避免封装基板在运输和处理过程中移动外箱使用纸箱,箱内空隙应该使用缓冲材料填充。应限制封装基板和包装材料的总质量,确保不超过箱子的承载量。外包装应使用无污染的防静电或静电消散材料,包装箱可被直接运送到组装用的防静电保护区域开箱和组装

10 运输

运输过程中应防止淋雨、受潮和太阳久晒,码放的质量应确保不超过箱子的承载量,防止接触强碱、强酸性气体和机械损伤。

11 贮存

11.1 贮存期限

封装基板成品使用前应保持内包装完好,并保存在温度为10℃~35℃、相对湿度不大于75%的室内,周围环境不应有酸性、碱性或其他对封装基板有影响的气体和介质存在的环境中,码放的质量应确保不超过箱子的承载量。

封装基板自生产完成之日起的有效贮存期限与表面镀涂层种类、封装基板使用的材料、封装基板的结构 包装条件 贮存环境和封装基板的组装工艺等有关 除另有规定外 封装基板的贮存期限应符合表32的规定,当封装基板上有两种和以上镀涂层时,按时间最短的镀涂层贮存期限。有特殊贮存期限要求的封装基板应由供需双方商定。

表面镀涂层	贮存期限/月
化学镀镍/浸金	12
化学镀镍/化学镀钯/浸金	12
电镀镍金	12
化学浸锡	12
预置焊球	12
有机可焊性保护膜	6

11.2 超期贮存后的使用

除另有规定外,超出贮存期限的封装基板应进行烘烤除湿(有机可焊性保护膜处理除外),烘烤后应按照6.4.5进行表面可焊性试验,以及按照5.9.2进行热应力试验,经试验后能满足相应性能规范要求的则仍可使用,否则应将超期贮存的封装基板报废处理。

12 说明事项

12.1 优先顺序

当本文件的要求与其他文件要求有矛盾时,文件采用的优先顺序如下:

a) 布设总图和采购文件;
b) 本文件;
c) GB/T 16261;
d) 其他文件。

12.2 采购文件中应明确的内容

除另有规定外,采购文件应规定下列内容:

a) 本文件的编号、名称;
b) 引用的其他规范性文件的版次号和年号;
c) 封装基板采购文件或布设总图的名称、编号及发布日期;
d) 适用的产品类型、等级;
e) 适用封装基板的设计标准名称、编号、版本及发布日期;
f) 是否要求显微剖切试样及报告随产品发运;
g) 包装要求;
h) 当要求时,专用的或附加的识别标识;
i) 其他要求。

附录 A (规范性)

封装基板的区域划分

封装基板的区域划分如图 A.1~图 A.8所示(仅用于区域划分的理解,不限于图中所示类型)。

1) 键合区:用于金属线键合的区域,如图 A.1和图 A.2所示。

标引序号说明:

1———注胶口;

2———键合区;

3——— 倒装晶片放置区(未预置焊球)。

标引序号说明:

1、2———蚀刻标记;

3 ——— 键合区。

图 A.2 封装基板区域划分示意图(正面)

2) 倒装晶片放置区(未预置焊球):与倒装晶片凸点接触的封装基板区域(未预置焊球),如图 A.1所示。
3) 正面其他焊盘区:正面单体内键合区和倒装晶片放置区外内的表面贴装焊盘、装片基岛、散热金属条。
4) 注胶口:封装基板边缘作为注胶口的大块金属露出区域,如图 A.1所示。
5) 键合连接盘重要区和非重要区:将键合连接盘长度方向分为6等分,中间4等分区域为键合连接盘重要区,两边的各2个等分区域为非重要区,两种常见的键合连接盘区域划分如图 A.3所示。

标引序号(符号)说明:

l₁ 、 l₂ 键合连接盘长度;

A₁ 、 A₂ 键合连接盘重要区长度;

B₁ 、 B₂ 键合连接盘非重要区长度。

图 A.3 键合连接盘区域划分示意图

6) ESD金属区:封装基板背面板边作为 ESD防护的金属条,如图 A.4所示。
7) 边轨区:单体外区域,包括单体矩阵外区域和板边区域,如图 A.4和图 A.5所示。

标引序号说明:

1———背面 ESD金属区;
2———背面边轨区。

标引序号说明:

1———边轨区。

图 A.5 板边边轨区示意图

标引序号说明:

1、2———单体外板边区域;

3、4———条内单体外(单体间)区域;

5 ——— 背面焊盘区域

图 A.6 单体外区域示意图

8) 板边连接器连接盘区域:用作板边连接器的连接盘区域,如图 A.7所示。

标引序号说明:

1———板边连接器连接盘。

图 A.7 板边连接器连接盘区域示意图

9) 倒装晶片放置区(已预置焊球):封装基板上用于和倒装晶片凸点接触的区域(已预置焊球)如图 A.6所示。

标引序号说明:

1———倒装晶片放置区(已预置焊球);
2———非晶片放置区。

图 A.8 封装基板区域划分示意图(正面)

10) 非晶片放置区:是指粘贴裸晶片以外的区域,如图 A.8所示。
11) 背面区域划分如图 A.6所示。

标引序号说明:

1———背面焊盘区;
2———背面阻焊区;
3— 板边区。

图 A.9 封装基板区域划分示意图(背面)

其中背面焊盘区是指背面的规则圆形焊盘区域;背面阻焊区是指除板边区和焊盘区外的阻焊覆盖的区域;板边区是指焊盘区边缘到板边的区域。

资源下载

此资源下载价格为5金币立即购买，VIP免费立即升级

1.本站大部份文档均属免费，部份收费文档，经过本站分类整理，花了精力和时间，收费文档是为了网站运营成本等费用开支；
2.购买会员:全部免费下载本站资源（或单次下载）即视为对网站的赞助、打赏，非商业交易行为（不认同此观点请勿支付）请慎重考虑；
3.所有收费文档都真实可靠，为了节约成本，文档在网站前台不做预览，如果付费后，与实际文档不符合，都可以加微信号：pdftj888申请退款；
4.付费下载过程中，如果遇到下载问题，都可以加微信号pdftj888解决；
5.手机支付，尽量选择支付宝支付；
6.如图集或者标准不清楚，在本站找不到您需要的规范和图集，希望增加资料等任何问题，可联系微信号:pdftj888解决；