T/SZAA 002-2024 车身域控制器通用功率驱动装置测试规程

CCS 31.200
ICS L56
深圳自动化学会团体标准
T/SZAA 002—2024
车身域控制器通用功率驱动装置测试规程
Test Procedure for Universal Power Drive Device of Vehicle Domain Controller
2024 - 11 - 14 发布2024 - 11 - 30 实施
深圳自动化学会发布

目次
前 言.................................................................................. II
1 范围.................................................................................... 1
2 规范性引用文件.......................................................................... 1
3 术语和定义.............................................................................. 1
4 符号和缩略语............................................................................ 3
5 技术要求................................................................................ 3
6 检测方法................................................................................ 8
7 包装、贮存、标识要求................................................................... 16
8 标准实施的过渡期要求................................................................... 17
附录A ................................................................................... 19
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II
前 言
本文件按照GB/T 1.1—2020《标准化工作导则第1 部分：标准化文件的结构和起草规则》的规定起
草。
请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别这些专利的责任。
本文件由深圳自动化学会提出并归口。
本文件由深圳自动化学会负责解释。
本文件起草单位：比亚迪汽车工业有限公司、苏州纳芯微电子股份有限公司、拓尔微电子股份有限公
司、上海类比半导体技术有限公司、上海数明半导体有限公司、深圳自动化学会、杭州瑞盟科技股份有限
公司、杭州士兰微电子股份有限公司。
本文件主要起草人：吴世杰、方舟、魏荣峰、范天伟、朱志杰、贺艳萍、孙忠平、林星宇。
本文件首批承诺执行单位：比亚迪汽车工业有限公司、苏州纳芯微电子股份有限公司、拓尔微电子股
份有限公司、上海类比半导体技术有限公司、上海数明半导体有限公司、杭州瑞盟科技股份有限公司、杭
州士兰微电子股份有限公司。
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1
车身域控制器通用功率驱动装置测试规程
1 范围
本标准规定了乘用车及商用车车身域控制器通用功率驱动装置的技术要求、检测方法、包装、贮存、
标识要求。
本标准适用于乘用车、商用车车身域控制器通用器件功率驱动装置测试，其它非乘用车及商用车车身
域控制器通用器件功率驱动装置测试参照执行。
2 规范性引用文件
下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件，仅注日期的版本适用于本文件。
凡是不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本文件。
GB/T 4586—94《半导体器件分立器件第8 部分：场效应晶体管》
GB/T 191—2008 包装储运图示标志
GB/T 5465.2—2008 电气设备用图形符号第2 部分：图形符号
GB/T 29332—2012 半导体器件分立器件第9 部分：绝缘栅双极晶体管（IGBT）
GB/T 30512—2014 汽车禁用物质要求
GB/T 4937.3 半导体器件机械和气候试验方法第3 部分：外部目检
GB/T 28046.4 道路车辆电气及电子设备的环境条件和试验第4 部分：气候负荷
GB/T 2408—2021 塑料燃烧性能的测定水平法和垂直法
GB/T 34590.1—2022 道路车辆功能安全第1 部分：术语
GB/T 34590.2—2022 道路车辆功能安全第2 部分：功能安全管理
GB/T 34590.11—2022 道路车辆功能安全第11 部分：半导体应用指南
AEC - Q100 Rev - J: Failure Mechanism Based Stres s Test Qualification For Integrated Circuits
(Base Document)
IEC 60747-15 半导体器件分立器件第15 部分：分立功率半导体器件（Semiconductor devices
Discrete devices - Part 15: Isolated power semiconductor devices）
ISO16750-2 道路车辆电子电气产品的环境条件和试验第4.6.4 Load dump（抛负载）
ANSI/ESD S20.20-2021 版静电控制标准
JEDEC 组织文件JESD22A-104
JESD22-A108 温度、偏压和操作寿命（Temperature,Bias,and Operating Life）
JESD22-A119 低温存储寿命（Low Temperature Storage Life）
3 术语和定义
下列驱动芯片的术语和定义仅适用于本文件。
3.1
工作电压范围Operating Voltage Range
驱动芯片正常工作，不失效或引发非预期故障的电压范围。
3.2
工作温度范围Operating Temperature Range
驱动芯片正常工作的环境温度。
3.3
静态电流Quiescent Current
驱动芯片处于待机或休眠状态下，消耗的电流。
3.4
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2
导通电阻On Resistance
一定温度条件下（Ta 或Tj），芯片内部晶体管导通状态下的电阻值（主要针对内置功率管的驱动芯片）。
3.5
峰值电流Peak Output Current
驱动芯片允许提供的最大输出电流（主要针对直驱芯片）。
3.6
持续负载电流Continuous Load Current
在规定条件下，驱动芯片持续工作所能允许的电流。
3.7
欠压保护Under Voltage Protection
当芯片电压低于其欠压阈值的时间大于延时tUVLO，芯片将响应对应的保护机制。
3.8
过压保护Over Voltage Protection
当芯片电压高于其过压阈值的时间大于延时tOVP，芯片将响应对应的保护机制。
3.9
过流保护Over Current Protection
当流经回路的电流大于过流保护阈值的时间超过过流保护抗尖峰时间tOCP，芯片将响应对应的保护机制。
3.10
开路负载检测Open Load Diagnostics
驱动芯片能够检测电路中负载是否开路或者连接不良。
3.11
过温保护Over Temperature Protection
当芯片的工作温度超过其过温保护阈值，芯片将响应对应的保护机制。
3.12
最大工作频率Switching Frequency（MAX）
芯片允许的最大驱动频率。
3.13
压摆率Slew Rate
驱动芯片输出电压的变化速率。
3.14
传播延迟Propagation Delay Time
传播延迟指驱动信号从输入到输出响应所需要的时间。
3.15
死区时间Dead Time
为了防止高/低边晶体管同时导通而设置的保护时段。
3.16
故障指示Fault Indication
驱动芯片的故障状态反馈。
3.17
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3
衰减模式Decay Mode
驱动电机情况下，用于管理电流衰减的一种工作模式。
3.18
休眠模式Sleep Mode
芯片的低功耗状态。
3.19
电流监控Current Monitoring
回路中的电流检测。
3.20
逻辑输入阈值Logical Input Threshold
芯片逻辑输入引脚识别为高或低的临界电压值。
4 符号和缩略语
4.1 符号和缩略语
下列符号和缩略语适用于本文件。
UVLO：欠压锁定（Under Voltage Lockout）
OVP：过压保护（Over Voltage Protection）
VPOR：逻辑上电复位（Logic Supply Power on Reset）
OLD：开路负载检测（Open Load Detection）
OCP：过流保护（Over Current Protection）
OTP：过温保护（Over Temperature Protection）
EMC：电磁兼容（Electromagnetic Compatibility）
SR：压摆率（Slew Rate）
PWM：脉冲宽度调制（Pulse Width Modulation）
5 技术要求
5.1 工作温度要求
根据搭载的驱动芯片安装位置需求根据表1 选择不同的温度等级，除特殊情况外，宜支持不低于等级1，
选择的温度等级要求不低于表1 的对应温度等级，同时要求选择的温度等级对应的最高温度不低于GB/T
28046.4—2011 的附录表A.1 的温度要求。
芯片工作环境温度等级或范围应在产品规格书中准确说明。
表1 芯片工作温度等级
等级芯片工作环境温度
0 -40℃ ～ ﹢150℃
1 -40℃ ～ ﹢125℃
2 -40℃ ～ ﹢105℃
3 -40℃ ～ ﹢85℃
5.2 分类及功能要求
5.2.1 功率驱动芯片分类
分为桥驱（预驱、直驱）和智能高边开关两类。
5.2.2 驱动功能
驱动芯片应具有驱动功能，通过前端输入的控制信号驱动和控制后端的负载。
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4
5.2.3 制动模式
驱动芯片应具有制动功能，以控制电机的停转或减速。
5.2.4 欠压保护
驱动芯片应具有UVLO 欠压保护功能，避免IC 长时间工作在电压不足的状态下而导致功能异常，或者
无法响应故障保护的情况，避免IC 损坏。
定义范围：欠压保护阈值，宜根据驱动类芯片实际的工作范围进行设定，驱动类芯片发生欠压时，可
以对主板控制类MCU 发出欠压故障信号，且进行关断保护；建议略低于汽车系统最低电压值即可，如5.5V
以下，迟滞电压符合系统设计即可。
5.2.5 过压保护（可选）
驱动芯片宜具有OVP 过压保护功能，防止芯片因为电压过高而损坏，过压保护功能包括过压预警机制
和过压保护响应机制，可通过通讯协议或其他方式进行配置选择，保证芯片工作在稳定的电压环境中，延
长使用寿命。
定义范围：过压保护阈值，一般由驱动类芯片的工艺和耐压决定，根据芯片具体耐压设定，保证芯片
在浪涌电压下能够正常保护；过压阈值一般在26V 以上，另需要定义过压保护消隐时间，两个指标决定此
功能能否在大多数异常下起作用。
5.2.6 电流检测
驱动芯片宜具有电流检测功能，其通过特定的电流监测方式来监控负载电流的变化情况并反馈给控制
端，用于判断负载的运行状态，为负载的实时调控提供依据。
5.2.7 过流保护
宜具有OCP 过流保护功能，部分芯片宜具有过流保护阈值与过流保护抗尖峰时间tOCP 的可配置功能。
5.2.8 负载诊断（可选）
域控制器智能诊断功能宜需要桥驱芯片实现对输出负载工作状态检测，尤其是桥驱存在多种拓扑结构
包括独立高边，独立半桥控制，共享桥臂控制与全桥控制方式等。针对不同的拓扑结构，桥驱芯片内部需
要提供灵活诊断的诊断配置功能，以实现负载对地短路，对电池短路和开路检测，以便系统快速定位电路
中负载虚接或者开路的问题。
5.2.9 过温保护
驱动芯片应具有OTP 过温保护功能，防止因芯片过热而引起的非预期故障和IC 损坏。
建议驱动芯片增加过温警告功能，当芯片的工作温度超过其过温警告阈值，芯片将响应对应的警告机
制，以提醒用户或系统采取必要的降温措施，防止温度持续升高。
5.2.10 故障指示
驱动芯片应具有故障指示功能，可以实时反馈芯片的工作状态，以便故障时及时排查问题，减少因故
障而引起的系统停机时间，提高系统的稳定性和可靠性。
5.2.11 电流调节功能（可选）
驱动芯片宜具有电流调节功能，能够在负载电机发生失速、高扭矩或其他高电流负载事件的情况下通
过斩波的方式限制电机电流。保证负载电机的正常运转和延长电机寿命。
5.2.12 短路保护（可选）
驱动芯片应能检测到负载发生短路时的异常状态，并做出安全响应，以防止电流异常增加而损伤系统。
5.2.13 SPI 通信（可选）
具有SPI 通信及控制功能的芯片可在总线中做多路复用，以节省主控芯片资源。
5.2.14 看门狗（可选）
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若驱动芯片具有SPI 通信功能，需配置看门狗定时器，监控外部控制器是否在运行，并监控SPI 系统
总线的完整性。
5.2.15 逻辑欠压（可选）
若驱动芯片具有SPI 通信，应具有逻辑欠压保护功能。当逻辑电源引脚供电电压低于欠压阈值或者系
统处于休眠时，切断通信，防止逻辑电压过低造成的通讯错误。
5.2.16 电荷泵保护功能（可选）
若驱动芯片通过外置NMOS 组合成桥驱结构来驱动电机，宜具有电荷泵欠压保护与电荷泵过压保护功能，
以防止电荷泵输出太低导致晶体管无法导通或者电荷泵电压输出太高导致能耗增加以及芯片寿命减少。随
着芯片工艺和架构发展，可通过其它方式替代实现等。
5.2.17 栅极故障保护（可选）
若驱动芯片通过外置晶体管组合成桥驱结构来驱动电机，应具有栅极故障保护功能，以应对栅极过压、
欠压或其他异常情况而引起的门极波动。
5.2.18 死区控制（可选）
桥驱芯片应集成死区时间，防止输出切换时出现上下管晶体管直通，导致功率半桥的供电端和地或接
地电阻发生短路，导致功率半桥以及系统出现损坏。死区时间消除直通状态前后切换时的异常大电流冲击
而产生的尖峰电压，避免芯片因电流冲击而损坏。
桥驱芯片应提供合适的死区时间或提供可配置的死区时间。如果死区时间过长，会导致占空比变小，
会影响无刷电机以及需要调速的有刷电机的最大力矩输出；如果死区时间过短，会增加短路风险以及增加
管控成本。因此，需要根据具体应用中的负载特性和工作条件来优化死区时间。
5.2.19 感性负载钳位功能
域控制器上的高边开关可能会有带电感性负载的情况，当高边开关驱动电感性负载，在关断的情况下
由于电感续流的特性，会造成高边开关的输出电压变成负压，需要外部或者内部做钳位电路，将MOSFET 的
VDS 钳位在安全电压，并释放电感上储存的能量。
5.2.20 丢电源与丢地保护
在高边开关驱动感性负载且丢失电源的的情况下，电感无法通过电源端续流，会通过芯片内部其他路
径经由IO 口提供电流，所以需要在IO 端串接保护电阻。
在高边开关驱动感性负载且芯片丢地的情况下需要整个芯片维持off 状态，错误模式下保持功率管关
闭。
5.2.21 电池反接保护（可选）
为了系统级的防反需求，芯片宜做到电源（VCC）—接地（GND）具有防反功能，对于无防反功能的IC
需要在接地增加防反，做防反保护，功率侧会在反接时打开MOSFET，以此来降低损耗，保护MOSFET。
5.2.22 压摆率控制（可选）
栅极驱动芯片的压摆率符合相关规格书要求。智能栅极驱动驱动模块宜具有可调节的栅极驱动电流控
制技术，以调节外部MOSFET VDS 的压摆率。外部MOSFET VDS 的压摆率是优化EMI、二极管反向恢复、dV/dt
栅极寄生耦合以及半桥开关节点上的过压或欠压瞬态的关键因素。VDS 压摆率主要取决于MOSFET QGD 或米勒
充电区域中提供的栅极电荷(或栅极电流)的速率。
5.2.23 低功耗断电制动功能POB（可选）
栅极驱动芯片宜具有低功耗休眠模式下电源过压刹车功能；允许器件在保持低功耗静态电流的同时，
当输入电源电压高于比较器阈值时，启用POB 功能，主动开启外部低侧MOSFET 使得电机进入刹车模式，
将反电动势能量通过低侧MOSFET 耗散掉，这有效的避免了电机的反电动势对系统电源的过冲。此功能仅
在设备处于低功耗睡眠模式时可用。
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5.3 性能要求
5.3.1 静态功耗
静态功耗为驱动芯片处于休眠或待机模式下所消耗的电流，应符合相关规格书要求。
5.3.2 导通电阻
内部功率晶体管导通时的阻抗，一般为几毫欧到几欧，应符合相关规格书要求。
5.3.3 压摆率
不同的芯片压摆率差别较大，应符合相关规格书要求。
5.3.4 电流采样精度
电流采样精度应有相关说明，并留有一定裕量，应符合相关规格书要求。
5.3.5 工作频率
驱动芯片的工作频率范围应有相关说明，并留有一定裕量，应符合相关规格书要求。
5.3.6 死区时间
为防止半桥上下晶体管同时导通，造成器件击穿损毁，驱动芯片应设置一定的死区时间，一般为几百
纳秒到几十微秒，应符合相关规格书要求。
5.3.7 峰值电流
通常应大于负载电路在所有情况下的最大电流，并留有一定裕量，应考虑瞬时的电流和时间冲击，符
合相关规格书要求。
5.3.8 持续负载电流
驱动芯片应能提供足够的负载运行电流，并留有一定裕量，符合相关规格书要求。
5.3.9 工作电压
驱动芯片的工作电压应大于电机的工作电压，并留有一定裕量，符合相关规格书要求。
5.3.10 传播延迟
驱动芯片的传播延迟符合相关规格书要求。
5.3.11 参数要求
a） 不同品牌提供产品规格书参数部分应包含：绝对最大限制，电气特性，热阻特性，ESD 特性，潮
湿敏感度、封装信息和包装尺寸相关信息；
b） 产品规格书提供的参数部分格式允许不同。
5.4 可靠性要求
a） 除特殊情况外，芯片成品可靠性试验的必做项及对应试验项的结果应能满足表2 和表3 要求；
b） 芯片品牌厂商或厂家应提供第三方机构的AEC - Q100 认证报告或有相应资质的实验室提供的测
试报告；
c） 根据驱动芯片支持的车规工作环境温度等级，按照附表A 中的表A.1 中的试验方法进行试验。
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表2 驱动芯片成品可靠性试验要求选择表（第一部分）
测试分组应力方式简称代号接受标准每批样品
批
数
必做项
加速环境
应力测试
预处理PC A1 0 失效77 3 √
有偏温湿度或有偏高加
速应力试验
THB 或
HAST
A2 0 失效77 3 √
高压蒸煮或无偏高加速
应力试验或无偏温湿度
试验
AC 或
UHAST
或TH
A3 0 失效77
3
√
温度冲击或温度循环TS 或TC A4 0 失效77 3 √
功率负载温度循环PTC A5 0 失效45 3
高温贮存寿命HTS A6 0 失效45 3 √
低温贮存寿命LTS A7 0 失效√
加速寿命
模拟测试
高温工作寿命HTOL B1 0 失效77 3 √
低温工作寿命LTOL B2 0 失效
早期寿命失效率ELFR B3 0 失效800 3 √
非易失性存储器耐久
性、数据保持性、工作
寿命
EDR B4 0 失效77 3
封装组装
完整性测试
引线键合剪切力WBS C1 Cpk＞1.67
5 颗料里面收集30 个
拉力数据
√
引线键合拉力WBP C2
Cpk＞1.67
或温度循环
后0 失效
√
可焊性SD C3
覆盖95%
以上引脚
15 1 √
物理尺寸PD C4 Cpk＞1.67 10 3 √
锡球剪切SBS C5 Cpk＞1.67
10 颗物料每个
收集5 个推球
数据
3
√
（FC 产
品需要
测试）
引脚完整性LI C6
无引脚破损
或开裂
5 颗物料面收
集10 个二焊点
拉力数据
1
√
（只需
要通孔
器件）
晶圆
可靠性测试
电迁移EM D1 —
经时介质击穿TDDB D2 —
热流子注入效应HCL D3 —
负偏压温度不稳定性NBTI D4 —
应力迁移SM D5 —
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表3 驱动芯片成品可靠性试验要求选择表（第二部分）
测试分组应力方式简称代号接受标准必做项
电气特性
验证测试
应力测试前后功能参数
测试
TEST E1 0 失效√
静电放电人体模式HBM E2 0 失效√
静电放电带电器件模式CDM E3 0 失效√
闩锁效应LU E4 0 失效√
电气性能分布ED E5 Cpk＞1.67 √
故障等级FG E6 见AEC Q100 - 007
特性描述CHAR E7 — √
短路特性描述SC E8 —
针对高低边
开关类产
品，建议为
必做项, 参
见AEC
Q100-012
软误差率SER E9 0 失效√
无铅LF E10
由使用者和供应商根据具
体情况协商。
缺陷筛选测试
过程平均测试PAT F1 —
建议跟据产
品定具体测
试管控项
统计式良率分析SBA F2 — √
腔体封装
完整性测试
机械冲击MS G1 0 失效
变频振动VFV G2 0 失效
恒定加速度CA G3 0 失效
粗/细检漏测试GFL G4 0 失效
包装跌落DROP G5 0 失效
封盖扭矩测试LT G6 0 失效
芯片剪切力DS G7 0 失效
内部水汽含量测试IWV G8 0 失效
6 检测方法
6.1 通用性能检测
6.1.1 环境约束
驱动芯片应明确其环境约束，可包含（如适用）：外部环境，例如：温度、湿度、振动等。
6.1.2 运行条件
驱动芯片应明确其运行条件，可包含（如适用）：
a） 芯片系统的功能模式及状态；
b） 芯片处于工作状态或者非工作状态；
c） 芯片与系统其他元件或部件的依赖关系、接口关系等（如控制单元等）。
6.2 试验方法
6.2.1 环境条件
除另有规定外，电学特性试验的环境条件如下：
a） 环境温度：23 ± 5℃
b） 相对湿度：25% ～ 75%
c） 环境气压：86kPa ～ 106kPa
试验期间，器件不应受到气流、光照或其他可能引起误差的影响。
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6.2.2 外观条件
试验前应进行必要外观检查，如果芯片存在以下外观缺陷，将不能进行试验：
a） 封装断开或封装有裂纹（表面划痕不应视为外观缺陷）；
b） 表面上缺损在任何方向上的尺寸大于1.5mm，且其深度超过封装有效单元厚度的25%（如盖板、基
座、侧壁）；
c） 如是QFN 封装且有侧边上锡要求的芯片应当提前准备好且确认具体的材质工艺处理（例如镀镍、
镀金），并据此在视觉上验证。
6.2.2.1 产品标记封装信息
a） 封装信息，驱动芯片的各项物理参数都可以找到对应值，包括长、宽、高、引脚尺寸、引脚间距、
焊盘尺寸等具体数值及公差；
b） 封装丝印信息，应显现厂家、型号、生产周期、生产批次、极性或方向，丝印内容应清晰，完整，
无模糊，缺划，重影等现象。
6.2.3 特性试验
下列试验方法涵盖电机驱动IC 的多项功能，若相关IC 无某功能，可忽略。
假设电机驱动IC 具有逻辑上电复位引脚，若相关IC 无此引脚，可忽略。
6.2.3.1 VM 功耗试验
按照图1 搭建测试电路，VM - GND 串联电流表A1 接入电压源V1，EN - GND 接入电压源V2，VDD - GND
接入电压源V3，V3 为逻辑输入高电平。
a） 当V1 为高电平，V2 为低电平，记录电流表A1 的数据，即为芯片休眠功耗IVMQ；
b） 当V1、V2 均为高电平，记录电流表A1 的数据，即为芯片静态功耗IVM。
备注：V1 根据规格书电压范围，设置最低电压，典型电压，最高极限电压。(其他供电引脚功耗测试方
法同理)
图1 功耗测试电路
6.2.3.2 VM 欠压保护试验
按照图2 搭建测试电路，VM - GND 接入电压源V1，VDD/EN - GND 接入电压源V2，FAULT 通过外部上拉
电阻接入电压源V2，V1、V2 均为输入高电平，示波器监测FAULT 对地电压。
a） 减小V1 电压直到FAULT 变为逻辑低电平，此时的V1 电压即为VM 欠压阈值VUVLO_fall；
b） 增大V1 电压直到FAULT 变为逻辑高电平，此时的V1 电压即为VM 欠压恢复阈值VUVLO_rise。
备注：
注1：EN 可为使能控制或睡眠模式控制等。
注2：VDD 可看情况。若无VDD，不需要外加V2。若VDD 是输出端，其也不需要外加V2。
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图2 VM 欠压保护测试电路
6.2.3.3 VM 过压保护试验
按照图3 搭建测试电路，VM - GND 接入电压源V1，VDD / EN - GND 接入电压源V2，FAULT 通过外部上
拉电阻接入电压源V2，V1、V2 均为输入高电平，示波器监测FAULT 对地电压。
a） 增大V1 电压直到FAULT 变为逻辑低电平，此时的V1 电压即为VM 过压阈值VOVP_rise；
b） 减小V1 电压直到FAULT 变为逻辑高电平，此时的V1 电压即为VM 过压恢复阈值VOVP_fall。
备注：
注1：EN 可为使能控制或睡眠模式控制等。
注2：VDD 可看情况。若无VDD，不需要外加V2。若VDD 是输出端，其也不需要外加V2。
图3 VM 过压保护测试电路
6.2.3.4 导通电阻试验
以H 桥直驱为例，其他类型的电机驱动IC：如智能高边开关、半桥驱动等同理。
按照图4 搭建测试电路，VM - GND 接入电压源V1，VDD / EN / INX - GND 接入电压源V2，FAULT 通过
外部上拉电阻接入电压源V2，V1、V2 均为输入高电平，INY 接地，OUTX - OUTY 接入负载，电压表1 监测
VM - OUTX，电压表2 监测OUTY - GND。
a） 设置ILOAD，开启负载回路，记录电压表1 监测的电压值U1，电压表2 监测的电压值U2；
b） 高边晶体管的导通内阻为RDSON_HS = U1 / ILOAD；
c） 低边晶体管的导通内阻为RDSON_LS = U2 / ILOAD；
d） 芯片的导通电阻RDS_ON = RDSON_HS + RDSON_LS。
备注：
注1：测试条件需要涵盖低温、常温、高温。
注2：EN 可为使能控制或睡眠模式控制等。
注3：VDD 可看情况。若无VDD，不需要外加V2。若VDD 是输出端，其也不需要外加V2。
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图4 导通内阻检测测试电路
6.2.3.5 压摆率试验
以H 桥直驱高边晶体管为例，其他类型的电机驱动IC 压摆率同理。
按照图5 搭建测试电路，VM - GND 接入电压源V1，VDD / EN - GND 接入电压源V2，FAULT 通过外部上
拉电阻接入电压源V2，V1、V2 均为输入高电平，INX 接入PWM 信号，OUTX - GND 接入负载，示波器监测OUTX。
a） 记录OUTX 上升沿波形，上升沿10% - 90%的电压与时间的比值，即为高边开启压摆率SRHS_ON；
b） 记录OUTX 下降沿波形，下降沿90% - 10%的电压与时间的比值，即为高边关闭压摆率SRHS_OFF。
备注：对于半桥或者全桥驱动，测试压摆率时，需要注意上升沿测试时OUTX - GND 接入负载，下降沿
测试时OUTX - VM 接入负载。
图5 压摆率测试电路
6.2.3.6 传播延迟试验
按照图6 搭建测试电路，VM - GND 接入电压源V1，VDD / EN - GND 接入电压源V2，FAULT 通过外部上
拉电阻接入电压源V2，V1、V2 均为输入高电平，INX 接入PWM 信号，OUTX - GND 接入负载，示波器1 监测
OUTX，示波器2 监测INX。
记录INX 上升沿波形，INX 的上升沿到OUTX 上升沿10% 的时间差，即为传播延迟tPD。
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12
图6 传播延迟测试电路
6.2.3.7 死区时间试验
按照图7 搭建测试电路，VM - GND 接入电压源V1，VDD / EN - GND 接入电压源V2，FAULT 通过外部上
拉电阻接入电压源V2，V1、V2 均为输入高电平，INX、INY 接入相位相反的PWM 信号，示波器1 监测OUTX，
示波器2 监测OUTY。
OUTX 从高电平下降开始计时，OUTX 负电压脉冲结束计时，测量两点之间的时间延时，即为死区时间tDEAD。
图7 死区时间测试电路
6.2.3.8 电流镜试验
按照图8 搭建测试电路，VM - GND 接入电压源V1，VDD / EN / INX - GND 接入电压源V2，FAULT 通过
外部上拉电阻接入电压源V2，V1、V2 均为输入高电平，OUTX - GND 接入负载仪，电压表测量IPROPI 的电
压VIPROPI。
a） 设置负载电流ILOAD，递增负载电流，记录不同负载电流下的IPROPI 电压；
b） 计算得到不同负载电流时的电流镜系数，K =ILOAD / (VIPROPI / RIPROPI)。
注：电机驱动IC 不同，电流镜比例的计算方式不同，应符合相关规格书要求。
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图8 电流镜测试电路
6.2.3.9 电流调节试验
按照图9 搭建测试电路，VM - GND 接入电压源V1，VDD / EN / INX - GND 接入电压源V2，FAULT 通过
外部上拉电阻接入电压源V2，V1、V2 均为输入高电平，OUTX - GND 接入负载仪，示波器监测IPROPI 的波
形。
a） 设置电流调节阈值，设置大于阈值的负载电流；
b） 开启回路，开启负载仪，记录IPROPI 波形；
c） 记录IPROPI 的峰值，根据电流镜比例系数可以计算得出电流调节阈值VITRIP；
d） 记录IPROPI 的低电平维持时间，即为电流调节时间tOFF。
图9 电流调节测试电路
6.2.3.10 过流保护试验
按照图10 搭建测试电路，VM - GND 接入电压源V1，VDD / EN - GND 接入电压源V2，INX 接入电压源
V3，FAULT 通过外部上拉电阻接入电压源V2，V1、V2、V3 均为输入高电平，OUTX - GND 接入负载仪，示波
器1 电流探头监测OUTX，示波器2 检测FAULT。
a） 开启回路，负载仪上电，递增负载电流直至FAULT 变为低电平，此时的负载电流值即为过流阈值
IOCP；
b） 设置大于IOCP 的负载电流，开启回路，测量IOUTX 上升为IOCP 到FAULT 变为低电平的时间即为过流保
护抗尖峰时间tOCP。
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14
图10 过流保护测试电路
6.2.3.11 电荷泵欠压保护试验（可选）
按照图11 搭建测试电路，VM - GND 接入电压源V1，VDD / EN - GND 接入电压源V2，VCP 接入电压源
V3（V3 电源需要可以吸收电流），FAULT 通过外部上拉电阻接入电压源V2，VM、VCP 之间接入1uF 电容，
V1、V2 均为输入高电平，示波器监测FAULT 波形。
a） V3 暂不接入，IC 正常上电后，电压表测量VCP 电压，将其设置为V3 电压值；
b） 开关闭合，减小V3 电压，直至FAULT 变为低电平，记录此时的V3 电压，即为电荷泵欠压阈值VCPUV_fall；
c） 增大V3 电压，直至FAULT 变为高电平，记录此时的V3 电压，即为电荷泵欠压恢复阈值VCPUV_rise。
备注：V3 向VCP 提供电压前，需要先断开CP1、CP2 之间的电容，关闭内部电荷泵输出。
图11 电荷泵欠压保护测试电路
6.2.3.12 电荷泵过压保护试验（可选）
按照图12 搭建测试电路，VM - GND 接入电压源V1，VDD / EN - GND 接入电压源V2，VCP 接入电压源
V3（V3 电源需要可以吸收电流），FAULT 通过外部上拉电阻接入电压源V2，VM、VCP 之间接入1uF 电容，
V1、V2 均为输入高电平，示波器监测FAULT 波形。
a） V3 暂不接入，IC 正常上电后，电压表测量VCP 电压，将其设置为V3 电压值；
b） 开关闭合，增大V3 电压，直至FAULT 变为低电平，记录此时的V3 电压，即为电荷泵过压阈值VCPOV_rise；
c） 减小V3 电压，直至FAULT 变为高电平，记录此时的V3 电压，即为电荷泵过压恢复阈值VCPOV_fall。
备注：V3 向VCP 提供电压前，需要先断开CP1、CP2 之间的电容，关闭内部电荷泵输出。
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图12 电荷泵过压保护测试电路
6.2.3.13 逻辑上电复位试验（可选）
按照图13 搭建测试电路，VM - GND 接入电压源V1，VDD - GND 接入电压源V2，EN 接入电压源V3，FAULT
通过外部上拉电阻接入电压源V3，设置V1 处于VM 欠压状态，V2、V3 均为输入高电平，示波器监测FAULT
波形。
a） 减小V2 电压直至FAULT 变为高电平，此时的V2 电压即为逻辑欠压阈值VPOR_fall；
b） 增大V2 电压直至FAULT 变为低电平，此时的V2 电压即为逻辑欠压恢复阈值VPOR_rise。
图13 逻辑上电复位测试电路
6.2.3.14 过温保护试验
按照图14 搭建测试电路，VM - GND 接入电压源V1，VDD / EN - GND 接入电压源V2，FAULT 通过外部
上拉电阻接入电压源V2，将系统置于温箱内，示波器监测FAULT 波形，温度监测仪监测IC 塑封体表面温度。
a） 升高温箱温度，直至FAULT 变为低电平，此时的温度监测仪监测所示即为过温保护阈值TTSD；
b） 降低温箱温度，直至FAULT 变为高电平，此时的温度监测仪监测所示即为过温恢复阈值TTR。
c) 过温迟滞阈值，为TTSD-TTR。
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图14 过温保护测试电路
6.2.3.15 带载温升试验
按照图15 搭建测试电路，VM - GND 接入电压源V1，VDD / EN - GND 接入电压源V2，INX 接入电压源
V3，FAULT 通过外部上拉电阻接入电压源V2，温度监测仪监测IC 塑封体表面温度。
a） 记录芯片带载前初始温度T0；
b） 根据应用要求设置ILOAD，开启驱动，待芯片表面温度稳定后，记录此时的温度数据Tt；
c） 该负载电流下的带载温升，T△=Tt-T0。
图15 带载温升测试电路
6.2.3.16 耐压试验
以VM 耐压为例，其他引脚耐压同理。
按照图16 搭建测试电路，VM - GND 串联电流表A1 和电阻R1 接入电压源V1，电压表接在VM 和GND 两
端，VDD / EN - GND 接入电压源V2，FAULT 通过外部上拉电阻接入电压源V2，观察电流表A1 变化。
增大V1 电压，直至电流表A1 突变剧增，此时的V1 电压大小即为VM 耐压。
图16 耐压测试电路
6.2.4 可靠性试验
根据驱动芯片的特性，必做的可靠性试验项见表2。根据驱动芯片支持的温度等级，按照附表A. 0 的
试验方法进行试验。
6.2.5 有害物质限量
按GB/T 30512—2014 汽车禁用物质要求。
7 包装、贮存、标识要求
7.1 包装安全标准
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防静电按ANSI/ESD S20.20-2021 版静电控制标准进行，包装内应有产品的合格证。
7.2 包装标识
包装标签上至少应有以下标识：
a） 产品名称；
b） 生产厂商；
c） 产品数量；
d） 执行标准（可选）；
e） 产品性能等级（可选）；
f） 生产批号规格及检验号代号（生产批次规格必选，检验号代号，检验合格章必选）；
g） 环保标记RoHS、Pd；
h） 湿敏等级（包装袋上有专门标识）；
i） ESD 敏感标识（包装袋上有专门标识）。
7.3 产品运输要求
产品在运输过程中，应避免磨损、日光曝晒及雨淋受潮。
7.4 产品贮存要求
产品应贮存于避光、干燥、阴凉的环境。
8 标准实施的过渡期要求
本标准无过渡期要求，自实施之日起执行。
_________________________________
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（资料性）
性能及功能点检表
表A.0 性能及功能点检表
功能要求性能要求
功能项接收标准性能项接收标准
驱动功能必要静态功耗应符合相关规格书要求。
欠压锁定必要导通电阻
一般为几毫欧到几欧，
应符合相关规格书要求。
过压保护可选的压摆率应符合相关规格书要求
电流检测必要电流采样精度
符合应用需求与相关规格书要求，
并留有一定裕量。
过流保护必要工作频率
符合应用需求与相关规格书要求，
并留有一定裕量。
开路负载检测可选的死区时间
一般为几百纳秒到几十微秒，
应符合相关规格书要求
过温保护必要峰值电流
符合应用需求与相关规格书要求，
并留有一定裕量。
衰减模式可选的持续负载电流
符合应用需求与相关规格书要求，
并留有一定裕量。
制动模式必要工作电压
符合应用需求与相关规格书要求，
并留有一定裕量。
故障指示必要传播延迟应符合相关规格书要求。
SPI 通信可选的- -
电荷泵保护可选的- -
死区控制可选的- -
短路保护可选的
看门狗可选的
逻辑欠压可选的
栅极故障保护可选的
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附录A
（规范性）
试验流程、方法和制程改变的鉴定要求
图A.1 鉴定试验流程
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20
表A.1 鉴定试验方法及要求
测试分组应力方式简称代号备注样品数/批批数接受标准试验方法附加要求
测试组A-加
速环境应力测
试
预处理PC A1 P.B.S.G.C.F 77 3 0 失效
JEDEC
J-STD-020
JESD22-A113
仅用于表面贴装器件。预处理在THB/HAST、AC/UHST、TC 和PTC
之前进行。推荐执行J-STD-020 的JA113 来决定实际预处理应力需要
的级别。鉴定最低可接受级别是JA113 的级别3。当进行预处理或潮
湿敏感等级时，预处理级别和波峰焊温度必须提供报告。芯片表面分
层根据JA113/J-STD-020 是可以接受的，只要其通过了后续的鉴定测
试。任何器件的交换移位都需要有报告。预处理前后的测试都在室温
下进行。
有偏温湿度或
有偏高加速应
力试验
THB 或
HAST
A2 P.B.D.G 77 3 0 失效
JEDEC
JESD22-A101
或A110
对于表面贴装器件，预处理要在THB(85℃/85%相对湿度，1000 小时)
或HAST(130℃/85%相对湿度，96 小时，或110℃/85%，264 小时)
之前。THB 或HAST 前后的测试都在室温和高温下进行。
高压蒸煮或无
偏高加速应力
试验或无偏温
湿度试验
AC 或
UHST 或
TH
A3 P.B.D.G 77 3 0 失效
JEDEC
JESD22-A102
A118 或A101
对于表面贴装器件，预处理要在AC(121℃/15psig，96 小时)或无偏
HAST(130℃/85%相对湿度，96 小时或110℃/85%相对湿度，264 小
时)。对于高温和压力敏感的封装(如BGA)，TH(85℃/85%相对湿度，
1000 小时)前的预处理可以取代掉。AC 或UHST 前后的测试都在室
温下进行。
温度循环TC A4 H.P.B.D.G 77 3 0 失效
JEDEC
JESD22-A104
和附录C
表面贴装器件温度循环前的预处理。等级0：-55℃~150℃ 2000 个循
环；等级1：-55℃~150℃ 1000 个循环；等级2：-55℃~125℃ 1000
个循环；等级3：-55℃~125℃ 500 个循环。温度循环前后的测试在
室温和高温下进行。完成温度循环后打开一个批次里5 个器件，在其
四角键合处(每角有2 个键合)和每边一个中间键合处进行键合拉力测
试。附录C 指出了首选的开启器件过程要最小化地损坏和降低错误
数据的出现。自2024 年2 月1 日起实施：
在温度循环后，使用声学显微镜检查3 批器件中的3 个（共9 个器件）
的芯片粘接（如果为电或热活性）或引线键合区域是否存在分层现象。
测试结果应在用户要求时提供。
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表A.1 鉴定试验方法及要求（续）
测试分组应力方式简称代号备注样品数/批批数接受标准试验方法附加要求
测试组A-加
速环境应力测
试
功率负载温度
循环
PTC A5 H.P.B.D.G.C.F 45 1 0 失效
JEDEC
JESD22-A105
表面贴装器件在功率温度循环前取22 个器件进行预处理。测试仅要
求器件的最大额定功率=1 瓦且△TJ=40℃或是设计驱动感应负载的
器件。
等级0：-40℃~150℃ 1000 个循环；
等级1：-40℃~125℃ 1000 个循环；
等级2 和3：-40℃~105℃ 1000 个循环。
功率温度循环的前后测试应在室温和高温下进行。
高温贮存寿命HTSL A6 H.P.B.D.G.K 45 1 0 失效
JEDEC
JESD22-A103
塑封器件：
等级0：175℃ 1000 个小时或150℃ 2000 个小时；
等级1：150℃ 1000 个小时或175℃ 500 个小时；
等级2 和3：125℃ 1000 个小时或150℃ 500 个小时。
陶瓷封装器件：
250℃ 10 个小时或200℃ 72 个小时。
高温贮存寿命的前后测试应在室温和高温下进行。
注： 如果封装和等级要求适合，B3(EDR) 测试的数据可以取代
A6(HTSL)测试数据。
测试组B-加速
寿命模拟测试
高温工作寿命HTOL B1 H.P.B.D.G.K 77 3 0 失效
JEDEC
JESD22-A108
对于有非易失性存储的器件，根据Q100-005 耐久性预处理必须在
HTOL 前进行。
等级0：150℃ 1000 个小时；
等级1：125℃ 1000 个小时；
等级2：105℃ 1000 个小时；
等级3：85℃ 1000 个小时。
高温工作寿命前后的测试在室温、高温和低温条件下进行。
早期寿命失效
率
ELFR B2 H.P.B.N.G 800 3 0 失效AECQ100-008
通过这项应力试验的器件可以用在其他应力试验上。通用数据可以使
用。ELFR 前后的测试在室温和高温条件下进行。
T/SZAA 002—2024
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表A.1 鉴定试验方法及要求（续）
测试分组应力方式简称代号备注样品数/批批数接受标准试验方法附加要求
测试组B-
加速寿命模
拟测试
非易失性存储器耐
久性、数据保持性，
工作寿命
EDR B3 H.P.B.D.G.K 77 3 0 失效AEC Q100-005 EDR 前后的测试在室温和高温的条件下进行。
测试组C-
封装组装完
整性测试
引线键合剪切力WBS C1 H.P.D.G
最少5 个器件中的30 个
键合丝
Cpk＞1.67
AEC Q100-001
AEC Q003
每个键合间有个适当的时间间隔。
引线键合拉力WBP C2 H.P.D.G
Cpk＞1.67 或温度
循环后0 失效
MIL-STD883
Method 2011
AEC Q003
条件C 或D。金线直径≥1mil，温度循环后的最小拉力=3 克。金线直径<1mil，参考
MIL-STD883 Method 2011 中图2011-1 规定的最小拉力。金线直径小于1mil，引线键
合拉力应进行在锡球键合处而不是在键合丝中间。
可焊性SD C3 H.P.D.G 15 1
覆盖95%以上引
脚
JEDEC
JESD22-B102
或JEDEC
J-STD-002D
如果出货前器件能够正常进行筛选老化试验，可焊性样品必须首先耐受住老化。测试
前预先进行8 小时蒸汽老化(镀金引线1 个小时)。
物理尺寸PD C4 H.P.B.D.G 10 3 Cpk＞1.67
JEDEC
JESD22-B100
和B108
AEC Q003
对于重要尺寸和公差，可见JEDEC 标准和个别器件说明。
锡球剪切SBS C5 B
最少10 个器件中
的5 个锡球
3 Cpk＞1.67
AEC Q100-010
AEC Q003
完整性(机械的)测试前进行热预处理(2 个220℃的回流焊循环)。
引脚完整性LI C6 H.P.D.G
5 个器件中某一
个的10 个引脚
1
无引脚破损或开
裂
JEDEC
JESD22-B105
表面贴装器件不作要求。仅对针脚通孔器件作要求。
T/SZAA 002—2024
23
表A.1 鉴定试验方法及要求（续）
测试分组应力方式简称代号备注样品数/批批数接受标准试验方法附加要求
测试组D-晶
圆可靠性测试
电迁移EM D1 - - - - - 数据，测试方法、计算和内部标准能够用在使用者对新技术的要求上。
经时介质击穿TDDB D2 - - - - - 数据，测试方法、计算和内部标准能够用在使用者对新技术的要求上。
热流子注入效
应
HCL D3 - - - - - 数据，测试方法、计算和内部标准能够用在使用者对新技术的要求上。
负偏压温度不
稳定性
NBTI D4 - - - - - 数据，测试方法、计算和内部标准能够用在使用者对新技术的要求上。
应力迁移SM D5 - - - - - 数据，测试方法、计算和内部标准能够用在使用者对新技术的要求上。
测试组E-电气
特性验证测试
应力测试前后
功能参数测试
TEST E1 H.P.B.N.G 全部全部0 失效
测试项目根据供应
者数据规格或使用
者说明
测试按照表A.2 和图A.1 所示的应力参考和附加要求进行。测试软件
应满足AEC Q100-007 的要求。所有认证应力前后的电性能测试要在
器件说明的温度条件下进行。
静电放电人体
模式
HBM E2 H.P.B.D 见测试方法1
0 失效
2KV HBM
AEC Q100-002
Q100-003
ESD 前后的测试在室温和高温条件下进行。应根据最大耐电压级别
将器件进行分类，器件级别<2000V HBM 的情况需要用户特别确认。
静电放电带电
器件模式
CDM E3 H.P.B.D 见测试方法1
0 失效
750V 边角引脚，
500V 其它引脚
(C4B 或更高)
AEC Q100-011
ESD 前后的测试在室温和高温条件下进行。应根据最大耐电压级别
将器件进行分类，器件级别<750V 边角引脚或<500V 其他引脚的
CDM 情况需要使用者特别承认。
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24
表A.1 鉴定试验方法及要求（续）
测试分组应力方式简称代号备注样品数/批批数接受标准试验方法附加要求
测试组E-电气
特性验证测试
闩锁效应LU E4 H.P.B.D 6 1 0 失效AEC Q100-004 LU 前后的测试在室温和高温条件下进行。
电分配ED E5 H.P.B.D 30 3 Cpk＞1.67 AEC Q100-009
供应商和用户相互协商用于测量可接受标准的电性能参数。测试在室
温、高温和低温下进行。
故障等级FG E6 - - -
见AEC
Q100-007
AEC Q100-007 生产测试见AEC Q100-007 的测试要求。
特性描述CHAR E7 - - - - AEC Q003 在新技术和器件上执行。
短路特性描述SC E8 D.G 10 3 0 失效AEC Q100-012
适用于所有智能功率器件。测试和统计评估(见AEC Q100-012 第4
节)由使用者和供应商根据具体情况协商。
软误差率SER E9 H.P.D.G 3 1 -
JEDEC 无加速；
JESD89-1 或加速；
JESD89-2 或
JESD89-3
适用于大于1M 存储量的静态和动态随机存储器基本单元的器件。根
据参考规格，可以选择两种测试之一(无加速或加速的)。测试判定标
准由使用者和供应商根据具体情况协商。最终测试报告应包括详细的
测试设备场所和主要数据。
无铅LF E10 L 见试验方法见试验方法见试验方法AEC Q005 适用于所有无铅器件。注意相关可焊性的建议，焊料耐热性等要求。
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表A.1 鉴定试验方法及要求（续）
测试分组应力方式简称代号备注样品数/批批数接受标准试验方法附加要求
测试组F-缺陷
筛选测试
过程平均测试PAT F1 - - - - AEC Q001
供应商确定样品量和测试方法以及接受标准。如果这些测试对于给定
的器件是不可能进行的，供应商必须提供理由。
统计式良率分析SBA F2 - - - - AEC Q002
测试组G-腔
体封装完整性
测试
机械冲击MS G1 H.D.G 15 1 0 失效
JEDEC
JESD22-B104
仅Y1 方向，5 次脉冲，持续0.5ms，1500g 峰值加速度，MS 前后的
测试在室温下进行。
变频振动VFV G2 H.D.G 15 1 0 失效
JEDEC
JESD22-B103
振荡频率从20HZ~2000HZ~20HZ 范围内对数变化，在X、Y 和Z 方
向上各进行四次这样的循环，50g 峰值加速度，VFV 前后的测试在室
温下进行。
恒定加速度CA G3 H.D.G 15 1 0 失效
MIL-STD-883
Method 2001
仅Y1 方向，30000g 对于小于40 管脚的器件，20000g 对于大于40
管脚的器件，CA 前后的测试在室温下进行。
粗/细检漏测试GFL G4 H.D.G 15 1 0 失效
MIL-STD-883
Method 1014
任何专一指定的细检漏测试随后都有专一的粗漏检测试。仅适用于陶
瓷封装空腔器件。
包装跌落DROP G5 H.D.G 5 1 0 失效-
从1.2 米的高度向6 个方向上跌落到混凝土表面上。该测试仅用于微
电机系统空腔器件，DROP 前后的测试在室温下进行。
封盖扭矩测试LT G6 H.D.G 5 1 0 失效
MIL-STD-883
Method 2024
仅适用于陶瓷封装空腔器件。
芯片剪切力DS G7 H.D.G 5 1 0 失效
MIL-STD-883
Method 2019
对于所有空腔器件要在封盖/密封前进行该试验。
内部水汽含量测试IWV G8 H.D.G 5 1 0 失效
MIL-STD-883
Method 1018
仅适用于陶瓷封装空腔器件。
T/SZAA 002—2024
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表A.1 鉴定试验方法及要求（续）
注：“备注”列字母所代表的含义见如下：
H 仅要求密封器件。
P 仅要求塑封器件。
B 仅要求焊球表面贴装(BGA)器件。
N 非破坏性测试，器件还可以用到其他测试上或用到生产上。
D 破坏性测试，器件不能重新用来认证和生产。
S 仅要求表面贴装塑封器件。
G 承认通用数据。
K 使用AEC-Q100-005 方法来对独立非易失性存储器集成电路或带有非易失性存储器模块的集成电路进行预处理。
T/SZAA 002—2024
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制程变更需要进行重新鉴定，鉴定的要求见表A.2。
表A.2 制程变更鉴定要求
应力测试方
法
A2
A3
A4
A5
A6
B1
B2
B3
C1
C2
C3
C4
C5
C6
D1
D2
D3
D4
D5
E2
E3
E4
E5
E7
E8
E9
E10
G1-G4
G5
G6
G7
G8
测试缩写
THB
AC
TC
PTC
HTSL
HTOL
ELFR
EDR
WBS
WDP
SD
PD
SBS
LI
EM
TDDB
HCI
NBTI
SM
HBM
CDM
LU
ED
CHAR
SC
SER
LF
MECH
DROP
LT
DS
IWV
设计
有源元件设
计
● ● M ● ● DJ D D D D D ● ● ● ● ● ● ● F
电路变更A M ● ● ● ● ● ●
晶圆尺寸/厚
度
E M ● ● E E ● E E E ●
晶圆制造
光刻● ● M ● G ● ● ● ●
芯片缩小化● ● M ● ● DJ ● ● ● ● ● ● ● ● ● ● ● ●
离子注入/掺
杂
M ● G ● ● ● ● ● ●
多晶硅● M ● DJ ● ● ● ● ● ●
金属孔/通孔/
接触
● ● ● M ● ● ● ● ● ● ● ●
钝化/氧化物/
夹层电介质
K K ● M ●
G
N
DJ K ● ● ● ● ● ● ● ● ● ●
背板操作● M ● M M ● ● H H
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表A.2 制程变更鉴定要求（续）
应力测试方
法
A2
A3
A4
A5
A6
B1
B2
B3
C1
C2
C3
C4
C5
C6
D1
D2
D3
D4
D5
E2
E3
E4
E5
E7
E8
E9
E10
G1-G4
G5
G6
G7
G8
测试缩写
THB
AC
TC
PTC
HTSL
HTOL
ELFR
EDR
WBS
WDP
SD
PD
SBS
LI
EM
TDDB
HCI
NBTI
SM
HBM
CDM
LU
ED
CHAR
SC
SER
LF
MECH
DROP
LT
DS
IWV
晶圆制造场
所改变
● ● ● M ● ● J ● ● ● ● ● ● ● ● ● ● ● H H
封装
芯片外涂敷
和底部填充
● ● ● M ● ● ● H
引线框架电
镀
● ● ● M ● C ● ● L H
凸点材料/金
属
● ● ● M ● ● ● ● ● L
化系统
引线框架材
料
● ● M ● ● ● ● ● ● L H ●
引线框架尺
寸
● ● M ● ● ● ● L H
引线键合● ● ● Q ● ● ● M ● H
芯片划片/分
离
● ● ● M
T/SZAA 002—2024
29
表A.2 制程变更鉴定要求（续）
应力测
试方法
A2
A3
A4
A5
A6
B1
B2
B3
C1
C2
C3
C4
C5
C6
D1
D2
D3
D4
D5
E2
E3
E4
E5
E7
E8
E9
E10
G1-G4
G5
G6
G7
G8
测试缩
写
THB
AC
TC
PTC
HTSL
HTOL
ELFR
EDR
WBS
WDP
SD
PD
SBS
LI
EM
TDDB
HCI
NBTI
SM
HBM
CDM
LU
ED
CHAR
SC
SER
LF
MECH
DROP
LT
DS
IWV
芯片制
备/清洗
● ● M ● ● ● H
封装打
标
B
芯片粘
结
● ● ● M ● ● ● L H H H
塑封材
料
● ● ● M ● ● ● ● ● ● ● L
塑封工
艺
● ● ● M ● ● ● ● ● L
气密封
装
H H H H H H H H
新式封
装
● ● ● M ● ● ● ● ● ● ● T ● ● ● ● ● L H H H
基板/中
介层
● ● ● M ● ● ● ● T L H H H
封装场
所改变
● ● ● M ● ● ● ● ● ● T ● ● L H H
T/SZAA 002—2024
30
表A.2 制程变更鉴定要求（续）
注1：应力测试方法代号所代表的含义如下，其具体方法及要求等见表A.1 相同代号所对应的内容
A2 温湿度偏压或高加速温湿度应力测试C4 物理尺寸E5 电分配
A3 高压蒸煮或无偏高加速温湿度应力测试C5 焊球剪切E7 特征特性描述
A4 温度循环C6 引线完整性E8 短路特性描述
A5 功率温度循环D1 电迁移E9 软误差率
A6 高温贮藏寿命D2 经时介质击穿E10 无铅
B1 高温工作寿命D3 热载流子注入G1~G4 机械类系列
B2 早期寿命失效率D4 负偏温度不稳定性G5 包装跌落
B3 非易失性存储器耐久性、数据保持性D5 应力迁移G6 封盖扭矩
C1 键合引线剪切E2 人体静电模型G7 芯片剪切
C2 引线拉力E3 充电器件模型G8 内部水汽含量分析
C3 可焊性E4 闩锁
注2：一个字母或”●“表明对于适当的工艺改变，其应力测试方面的性能应受到考虑，表中字母所代表的要求见如下：
A 仅对外部设备走线F 仅MEMS 器件L 仅对无铅器件
B 对记号重写/固化时间/临时性G 仅取自非100%老化器件M 针对需要功率温度循环的器件
C 假定焊接到引脚上H 仅针对密封性N 钝化和栅氧化物
D 设计规则更改J 仅对EPROM 和EEPROM Q 键合丝直径减少
E 仅针对厚度K 仅针对钝化T 仅针对焊球表面贴装器件
备注：字母或“●”表示压力测试的性能应该考虑到适当的过程更改。不知道的原因应在确认计划或结果中给出经过考虑的测试。